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四、 铝珠：

铝珠产生的根本原因是过烧，铝的熔点是660℃，当铝受热超过这一温度时，铝颗粒熔化形成了铝珠。通常，烧结炉的设置温度都远高于这一温度，这里所说的660℃是指电池片表面实际感受的温度，设置的温度虽高，由于烧结炉带速很快，铝层实际感受到的温度是远低于设置温度的。

解决这一问题的办法是降下烧结区温度，或是加快烧结炉的带速，减少热量的给予。此法效果非常明显，铝珠可得到有效控制。另一方面过分降温会损失电池片的电性能数据，那么降到什么程度呢，我们的经验是，降温到电池片背面手感略微粗糙即可。

五、 铝刺：

1、 背场印刷表面不均匀:检查刮条的平整度；

2、 烧结网带不洁净：清洗网带或对忘带进行打磨；

3、 烧结网带抖动严重：由设备人员来调整网带；

4、 烧结温度过高：不影响电性能的情况下降下烧结温度；

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影响因素

1. 温度

温度 T 越高，扩散系数 D 越大，扩散速度越快。

2. 时间

对于恒定源：时间 t 越长结深越深，但表面浓度不变。

对于限定源：时间 t 越长结深越深，表面浓度越小。

3. 浓度

决定浓度是因素：氮气流量、源温。

表面浓度越大，扩散速度越快。

4. 第三组元

主要是掺硼量对扩散的影响，杂质增强扩散机制。在二元合金中加入第三元素时，扩散系数也会发生变化。掺硼量越大，扩散速率越快。即电阻率越小，越容易扩散。

控制点

方块电阻，外观，单片均匀性，整管均匀性。

方块电阻： 表面为正方形的半导体薄层在电流方向所呈现的电阻。 R= 电阻率 *L/S， 对方块硅片，长度等于宽度，则 R= 电阻率 / 厚度，方块电阻～ ( １／ Ns*Xj) Ns ：电化学浓度， Xj ：扩散结深。

晶硅太阳能光伏板的制做全过程

3、去磷硅玻璃该加工工艺用以太阳能电池片生产加工全过程中，根据有机化学浸蚀法也即把硅片放到盐酸水溶液中侵泡，使其造成放热反应转化成可溶的络和物六***，以除去外扩散制结后在硅片表层产生的一层层磷硅玻璃。在外扩散全过程中，POCL3与O2反映转化成P2O5淀积在硅片表层。P2O5与Si反映又转化成SiO2和磷分子，那样就在硅片表层产生一层层带有磷原素的SiO2，称作磷硅玻璃。去磷硅玻璃的机器设备通常由本身、清理槽、伺服电机驱动器系统软件、机械手臂、电气系统和全自动配酸系统软件等一部分构成，关键能源有盐酸、N2、空气压缩、纯净水，热排风系统和污水。盐酸可以融解sio2由于盐酸与sio2反映转化成容易挥发的***汽体。若盐酸过多，反映转化成的***会深化与盐酸反映转化成可溶的络和物六***。

4、低温等离子刻蚀因为在外扩散全过程中，即便选用背对背外扩散，硅片的全部表层包含边沿都将难以避免地外扩散上磷。PN结的反面所搜集到的光生电子器件会顺着边沿外扩散有磷的地区流进PN结的反面，而导致短路故障。因而，务必对太阳电池附近的夹杂硅开展刻蚀，以除去充电电池边沿的PN结。一般 选用低温等离子刻蚀技术性进行这一加工工艺。低温等离子刻蚀是在底压情况下，反映汽体CF4的孕妈分子结构在频射输出功率的激起下，造成电离并产生等离子技术。等离子技术是由感应起电的电子器件和正离子构成，反映波导管中的汽体在电子器件的碰撞下，除开转化成正离子外，还能消化吸收动能并产生很多的特异性基团。特异性反映基团因为外扩散或是在静电场***下抵达SiO2表层，在那边与被刻蚀原材料表层产生放热反应，并产生挥发物的反映反应物摆脱被刻蚀化学物质表层，被超滤装置抽出来波导管。

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