振鑫焱光伏科技有限公司常年采购:高价回收硅片,电池片,初级多晶硅,银浆布,单晶硅,多晶硅,太阳能电池,光伏组件,太阳能电池板,客户撤退,降级,库存,El,不良测试,二手,旧,工程,拆卸,路灯,拆解电站,拆卸,胶合板,层压板,无边界晶体硅,多晶硅,单晶硅,实验板,***偿还,返工,光伏模块回收等。
2. 短路电流
在一定的温度和辐照条件下,太阳电池在端电压为零时的输出电流,通常用 I sc 来表示。
将 PN 结短路( V=0 ),因而 IF=0 ,这时所得的电流为短路电流 Isc ,显然有: I sc = I L , I sc 与太阳电池的面积大小有关,面积越大, I sc 越大。 I sc 与入射光的辐照度成正比。
3. 功率点
在太阳电池的伏安特性曲线上对应大功率的点,又称佳工作点。
4. 工作电压
太阳电池伏安特性曲线上大功率点所对应的电压。通常用 V m 表示
5. 工作电流
太阳电池伏安特性曲线上大功率点所对应的电流。通常用 I m 表示
6. 转换效率
受光照太阳电池的大功率与入射到该太阳电池上的全部辐射功率的百分比。 η = V m I m / A t
P in 其中 V m 和 I m 分别为大输出功率点的电压和电流, A t 为太阳电池的总面积, P in 为单位面积太阳入射光的功率。
7. 填充因子
太阳电池的大功率与开路电压和短路电流乘积之比,通常用 FF 表示: FF = I m V m / I sc V oc
I sc V oc 是太阳电池的极限输出功率, I m V m 是太阳电池的大输出功率,填充因子是表征太阳电池性能优劣的一个重要参数。
8. 电流温度系数
在规定的试验条件下,被测太阳电池温度每变化 1 0 C ,太阳电池短路电流的变化值,通常用 α 表示。对于一般晶体硅电池 α = 0.1%/ 0 C 。
9. 电压温度系数
在规定的试验条件下,被测太阳电池温度每变化 1 0 C ,太阳电池开路电压的变化值,通常用 β 表示。对于一般晶体硅电池 β = - 0.38%/ 0 C 。
振鑫焱光伏科技有限公司常年采购:高价回收硅片,电池片,初级多晶硅,银浆布,单晶硅,多晶硅,太阳能电池,光伏组件,太阳能电池板,客户撤退,降级,库存,El,不良测试,二手,旧,工程,拆卸,路灯,拆解电站,拆卸,胶合板,层压板,无边界晶体硅,多晶硅,单晶硅,实验板,***偿还,返工,光伏模块回收等。
电池片组件回收
(1)刚开始环节,层压机的溫度维持在较低溫度,回收抵债多晶硅,EVA熔融,有优良的流通性,可是化学交联速率比较慢。进口真空泵对下室真***装,因此部件內部的汽体快速而且非常容易的被吸走。上室维持真空泵,部件没受工作压力。
(2)EVA干固环节。层压机溫度上升到1个较高溫度,EVA产生迅速的化学交联反映。下室继续保持真***装,立即排出来干固全过程造成的汽体。一起上室打气,上下左右室中间的工作压力差使层压机中的硫化橡胶层对部件施压。
(3)完毕环节。EVA干固进行。起先上室真***装,移去工作压力,随后下室打气,打开表盖。针对BIPV部件,两面全是夹层玻璃,而且为了实现工程建筑规定,片式玻璃的厚度乃至超过5mm。基本的绝缘层背膜-EVA-电池片-EVA-夹层玻璃5层封裝加工工艺,此环节压层出現的难题较多。封裝出現的汽泡,挪动等状况,依据EVA熔化干固基本原理,探求合适封裝的与众不同加工工艺。依据具体生产制造必须和必须品牌EVA的干固特点按给出方式提升压层主要参数。
振鑫焱光伏科技有限公司常年采购:高价回收硅片,电池片,初级多晶硅,银浆布,单晶硅,多晶硅,太阳能电池,光伏组件,太阳能电池板,客户撤退,降级,库存,El,不良测试,二手,旧,工程,拆卸,路灯,拆解电站,拆卸,胶合板,层压板,无边界晶体硅,多晶硅,单晶硅,实验板,***偿还,返工,光伏模块回收等。
影响因素
1 .频率
射频 PECVD 系统大都采用 50kHz~13.56 MHz 的工业频段射频电源。较高频率( gt;4MHz )沉积的氮化硅薄膜具有更好的钝化效果和稳定性。
2 .射频功率
增加 RF 功率通常会改善 SiN 膜的质量。但是,功率密度不宜过大,超过 1W/cm2 时器件会造成严重的射频损伤。
3 .衬底温度
PECVD 膜的沉积温度一般为 250 ~ 400 ℃ 。这样能保证氮化硅薄膜在HF 中有足够低的腐蚀速率,并有较低的本征压力,从而有良好的热稳定性和抗裂能力。低于 200 ℃ 下沉积的氮化硅膜,本征应力很大且为张应力,而温度高于 450 ℃ 时膜容易龟裂。
4 .气体流量
影响氮化硅膜沉积速率的主要气体是 SiH4 。为了防止富硅膜,选择NH3/SiH4=2~20 (体积比)。气体总流量直接影响沉积的均匀性。为了防止反应区下游反应气体因耗尽而降低沉积速率,通常采用较大的气体总流量,以保证沉积的均匀性。
5 .反应气体浓度
SiH4 的百分比浓度及 SiH4/NH3 流量比,对沉积速率、氮化硅膜的组分及***性质均有重大影响。
理想 Si3N4 的 Si/N = 0.75 ,而 PECVD 沉积的氮化硅的化学计量比会随工艺不同而变化,但多为富硅膜,可写成 SiN 。因此,必须控制气体中的 SiH4 浓度,不宜过高,并采用较高的 SiN 比。除了 Si 和 N 外, PECVD 的氮化硅一般还包含一定比例的氢原子,即 SixNyHZ 或 SiNx :H 。
6 .反应压力、和反应室尺寸 等都是影响氮化硅薄膜的性能工艺参数。
版权所有©2024 产品网