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九、崩边、豁口、掉角
充电电池边沿崩边喝豁口
***：其长短≤3mm，深度1≤0.5mm，总数≤2处
B级：其长短≤5mm，深度1≤1.0mm，总数≤3处
四边豁口
***：规格≤1.5*1.5mm，总数≤1处
B级：规格≤2.0*2.0mm，总数≤1处
注：多晶硅***和B级均不容许有三边形豁口和锐利行豁口，左右豁口都不能过电级(主栅线，回收招标抛光片，副栅线)
超出B级范畴
多晶硅电池片超出了B级范畴，就立即做为缺点片。
多晶电池片超出了B级范畴，如合乎C级需切角片的规定，能作C级需切角片多
经容许边缘有豁口（包含三边形豁口和锐利行豁口），对边缘豁口听规定给出
125任意边缘破损≤18*18mm
150任意边缘破损≤8*8mm
156任意边缘破损≤14*14mm注：多晶电池片超过了C级片的规定，做为缺点片。彻底粉碎，无运用使用价值的做为报费片新的规范与旧的同样。
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一14、漏浆
***： 漏浆单独总面积低于0.5*0.5mm，总数低于3个
B级：跑模单独总面积低于1。0*1.0mm总数不分
C级：跑模单独总面积低于1。0*2。0mm总数不分
缺点/报废片：
超过C级片的规定为缺点片，超过缺点片规定的为报费片。
注：（1）在一切正常包装印刷图型处时，依照“包装印刷图型”要求分辨，没有包装印刷图型处时依照以上要求辨别。
（2）跑模在背静电场或背电级时，依据铝苞要求分辨
（3）跑模在侧边时，假如影象电池片电气性能和外型时，则返修后再次归类检验，随后再次判断，假如不危害电池片电气性能和外型的时候一切正常排出
（4）硅晶掉下来按跑模总面积判断新的规范：与旧的规范同样侧边漏浆片做打磨抛光片解决打磨抛光片处理过程非铝苞片：一概出口（不 Rsh≥6）零头和满包全入出口货位备注名称：DM选用黄标识铝苞片：暂未作自购片待产品研发作部件实验（ Rsh≥6）零头入铝苞零头货位满包入铝苞满包货位备注名称：DM LB选用白标识
振鑫焱光伏科技有限公司常年采购：高价回收硅片，电池片，初级多晶硅，银浆布，单晶硅，多晶硅，太阳能电池，光伏组件，太阳能电池板，客户撤退，降级，库存，El，不良测试，二手，旧，工程，拆卸，路灯，拆解电站，拆卸，胶合板，层压板，无边界晶体硅，多晶硅，单晶硅，实验板，***偿还，返工，光伏模块回收等。
影响因素
1 ．频率
射频 PECVD 系统大都采用 50kHz~13.56 MHz 的工业频段射频电源。较高频率（ gt;4MHz ）沉积的氮化硅薄膜具有更好的钝化效果和稳定性。
2 ．射频功率
增加 RF 功率通常会改善 SiN 膜的质量。但是，功率密度不宜过大，超过 1W/cm2 时器件会造成严重的射频损伤。
3 ．衬底温度
PECVD 膜的沉积温度一般为 250 ～ 400 ℃ 。这样能保证氮化硅薄膜在HF 中有足够低的腐蚀速率，并有较低的本征压力，从而有良好的热稳定性和抗裂能力。低于 200 ℃ 下沉积的氮化硅膜，本征应力很大且为张应力，而温度高于 450 ℃ 时膜容易龟裂。
4 ．气体流量
影响氮化硅膜沉积速率的主要气体是 SiH4 。为了防止富硅膜，选择NH3/SiH4=2~20 （体积比）。气体总流量直接影响沉积的均匀性。为了防止反应区下游反应气体因耗尽而降低沉积速率，通常采用较大的气体总流量，以保证沉积的均匀性。
5 ．反应气体浓度
SiH4 的百分比浓度及 SiH4/NH3 流量比，对沉积速率、氮化硅膜的组分及***性质均有重大影响。
理想 Si3N4 的 Si/N ＝ 0.75 ，而 PECVD 沉积的氮化硅的化学计量比会随工艺不同而变化，但多为富硅膜，可写成 SiN 。因此，必须控制气体中的 SiH4 浓度，不宜过高，并采用较高的 SiN 比。除了 Si 和 N 外， PECVD 的氮化硅一般还包含一定比例的氢原子，即 SixNyHZ 或 SiNx :H 。
6 ．反应压力、和反应室尺寸 等都是影响氮化硅薄膜的性能工艺参数。
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