振鑫焱光伏科技有限公司常年采购：高价回收硅片，电池片，初级多晶硅，银浆布，单晶硅，多晶硅，太阳能电池，光伏组件，太阳能电池板，客户撤退，降级，库存，El，不良测试，光伏辅料，二手，旧，工程，拆卸，路灯，拆解电站，拆卸，胶合板，层压板，无边界晶体硅，多晶硅，单晶硅，回收实验光伏辅料，实验板，***偿还，返工，光伏模块回收等。
参数相互关系
1. 压力与间距：压力越大时，间距也大；因为压力大时，***与网板接触的地方凸出来也多，间距小的话，硅片承受的压力加大，碎片的概率会加大。两个参数当中的一个改变 ， 另外一个不改 ， 就可能加大硅片碎的可能性或影响印刷质量。
2. 印刷速度影响到产能 ， 同时也影响到印刷到硅片浆料的多少。
印刷参数的调整
1. 先把印刷速度改小，以方便在调试时能很好的观察（如印刷速度为 50mm ) 。 完全松***定螺丝，并保证***和回***左右的固定螺丝未锁，回收光伏辅料板，能自由活动。
2. 先设定印刷间距：印刷间距以浆料能很好的印刷到硅片为宜，无粘片和虚印。 ( 推荐为： 1.5 0.3)
3. 在间距定下后，设定印刷压力。压力由小到大慢慢加，加到在印刷时浆料能收干净就可以。
参数的调整
4. 在压力和间距设定好后，印刷一片看看印刷是否合格，否则再作微调。（印刷速度未改）
5. 合格后， 慢慢朝下拧锁定螺丝，在感觉到锁定螺丝刚碰到东西时，把锁定螺丝锁住。这个动作相当于找到了一个刮胶下降的一个限位，回收招标光伏辅料，保证***在压力加大时不会再下压。
6. 然后加快印刷速度，并测印刷重量，如过大，则减速，过小，则加速。（推荐 170mm ) 。
晶硅太阳能光伏板的制做全过程
3、去磷硅玻璃该加工工艺用以太阳能电池片生产加工全过程中，根据有机化学浸蚀法也即把硅片放到盐酸水溶液中侵泡，使其造成放热反应转化成可溶的络和物六***，以除去外扩散制结后在硅片表层产生的一层层磷硅玻璃。在外扩散全过程中，POCL3与O2反映转化成P2O5淀积在硅片表层。P2O5与Si反映又转化成SiO2和磷分子，那样就在硅片表层产生一层层带有磷原素的SiO2，称作磷硅玻璃。去磷硅玻璃的机器设备通常由本身、清理槽、伺服电机驱动器系统软件、机械手臂、电气系统和全自动配酸系统软件等一部分构成，关键能源有盐酸、N2、空气压缩、纯净水，热排风系统和污水。盐酸可以融解sio2由于盐酸与sio2反映转化成容易挥发的***汽体。若盐酸过多，反映转化成的***会深化与盐酸反映转化成可溶的络和物六***。
4、低温等离子刻蚀因为在外扩散全过程中，即便选用背对背外扩散，硅片的全部表层包含边沿都将难以避免地外扩散上磷。PN结的反面所搜集到的光生电子器件会顺着边沿外扩散有磷的地区流进PN结的反面，而导致短路故障。因而，务必对太阳电池附近的夹杂硅开展刻蚀，以除去充电电池边沿的PN结。一般 选用低温等离子刻蚀技术性进行这一加工工艺。低温等离子刻蚀是在底压情况下，反映汽体CF4的孕妈分子结构在频射输出功率的激起下，造成电离并产生等离子技术。等离子技术是由感应起电的电子器件和正离子构成，反映波导管中的汽体在电子器件的碰撞下，除开转化成正离子外，还能消化吸收动能并产生很多的特异性基团。特异性反映基团因为外扩散或是在静电场***下抵达SiO2表层，在那边与被刻蚀原材料表层产生放热反应，并产生挥发物的反映反应物摆脱被刻蚀化学物质表层，被超滤装置抽出来波导管。
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九、崩边、豁口、掉角
充电电池边沿崩边喝豁口
***：其长短≤3mm，深度1≤0.5mm，总数≤2处
B级：其长短≤5mm，深度1≤1.0mm，总数≤3处
四边豁口
***：规格≤1.5*1.5mm，总数≤1处
B级：规格≤2.0*2.0mm，总数≤1处
注：多晶硅***和B级均不容许有三边形豁口和锐利行豁口，左右豁口都不能过电级(主栅线，副栅线)
超出B级范畴
多晶硅电池片超出了B级范畴，就立即做为缺点片。
多晶电池片超出了B级范畴，如合乎C级需切角片的规定，能作C级需切角片多
经容许边缘有豁口（包含三边形豁口和锐利行豁口），对边缘豁口听规定给出
125任意边缘破损≤18*18mm
150任意边缘破损≤8*8mm
156任意边缘破损≤14*14mm注：多晶电池片超过了C级片的规定，做为缺点片。彻底粉碎，无运用使用价值的做为报费片新的规范与旧的同样。
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