硅片切割片、研磨片、抛光片清洗过程。

切割片： 准备过程 去除胶粘结剂和石墨 超声波清洗 甩干 结束工作 。

研磨片： 准备工作 粗洗 F浸泡 超声波清洗 甩干 结束工作 。

抛光片： 准备工作 去蜡 送检（一） 清洗 送检（二） 结束工作 。

碱性二氧化硅抛光方法与原理。

碱对硅的腐蚀反应；

胶粒见的吸附作用；

抛光衬垫与硅片的机械摩擦作用；

碱的络合作用。

硅基片的醛基化解决

倒掉反映液體，回收无边框电池片，用无水乙醇清理3次，以去除羟基***；再用掉离子水清理3次，以去除无水乙醇，以防止其与醛基反映；举例来说，如果一个光伏阵列是6块组件，如果其中一块组件的部分因为遮挡产生了阴影，这6块组件的发电量都会受到影响。随后用PBS溶液清洗2次，以产生PBS自然环境，倒掉PBS溶液，将硅片亮脸朝上，添加和PBS的混和溶液（15mlPBS，1.5ml50％，容积之比1:10），选矿摇床振摇反映1h。此反映完毕后可让硅基片产生醛基化。倒掉反映液體，用PBS清理3次，荆州电池片，随后将醛基化的硅片储存于PBS溶液中，于己下一步试验应用。

工艺实现

为实现利用湿法刻蚀在硅片加工出刻，硅腐蚀。V 形槽条纹这一目标，需要三步工艺：氧化，光图 1 硅单晶晶体结构。

在本文中用（ 100）双面抛光硅片来叙述，回收晶体硅电池片，图 2 中 V 型槽的两个斜面为 (111)晶面，底面为(100)晶面。由晶体结构计算斜面（ 111）与地面（ 100）夹角 54.736°。当腐蚀的时候，从（ 100）硅片上沿着（ 110）方向腐蚀时掉需要腐蚀的硅原子，从而暴露出倾角为 54.736°的（ 111）面，双面进行就会形成 V 型槽结构。由于硅片的腐蚀存在备向异性，硅 (111)晶面的腐蚀速度远小于 (100)面的。因此，回收多晶硅电池片，只要选择适当的腐蚀温度和时间，就能得到如图 2 所示的硅片 V 型槽。将硅单晶体按（ 100）方向切成所需大小的硅片。厂家长期现金采购电池片，硅片，多晶硅，单晶硅，硅料，光伏组件，太阳能电池板回收石英的主要成分也是二氧化硅，较纯净的石英可用来制造石英玻璃，我们在实验室中使用的一些耐高温的化学仪器，就是用石英玻璃制成的。

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