深圳单晶硅抛光片回收品牌企业「多图」
作者:振鑫焱光伏科技2020/7/6 2:04:34
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视频作者:苏州振鑫焱光伏科技有限公司





振鑫焱光伏科技有限公司常年采购:高价回收硅片,电池片,初级多晶硅,银浆布,单晶硅,多晶硅,太阳能电池,光伏组件,太阳能电池板,客户撤退,降级,库存,El,不良测试,二手,旧,工程,拆卸,路灯,拆解电站,拆卸,胶合板,层压板,无边界晶体硅,多晶硅,单晶硅,实验板,***偿还,返工,光伏模块回收等。

影响因素

1 .频率

射频 PECVD 系统大都采用 50kHz~13.56 MHz 的工业频段射频电源。较高频率( gt;4MHz )沉积的氮化硅薄膜具有更好的钝化效果和稳定性。

2 .射频功率

增加 RF 功率通常会改善 SiN 膜的质量。但是,功率密度不宜过大,超过 1W/cm2 时器件会造成严重的射频损伤。

3 .衬底温度

PECVD 膜的沉积温度一般为 250 ~ 400 ℃ 。这样能保证氮化硅薄膜在HF 中有足够低的腐蚀速率,并有较低的本征压力,从而有良好的热稳定性和抗裂能力。低于 200 ℃ 下沉积的氮化硅膜,本征应力很大且为张应力,而温度高于 450 ℃ 时膜容易龟裂。

4 .气体流量

影响氮化硅膜沉积速率的主要气体是 SiH4 。为了防止富硅膜,选择NH3/SiH4=2~20 (体积比)。气体总流量直接影响沉积的均匀性。为了防止反应区下游反应气体因耗尽而降低沉积速率,通常采用较大的气体总流量,以保证沉积的均匀性。

5 .反应气体浓度

SiH4 的百分比浓度及 SiH4/NH3 流量比,对沉积速率、氮化硅膜的组分及***性质均有重大影响。

理想 Si3N4 的 Si/N = 0.75 ,而 PECVD 沉积的氮化硅的化学计量比会随工艺不同而变化,但多为富硅膜,可写成 SiN 。因此,必须控制气体中的 SiH4 浓度,不宜过高,并采用较高的 SiN 比。除了 Si 和 N 外, PECVD 的氮化硅一般还包含一定比例的氢原子,即 SixNyHZ 或 SiNx :H 。

6 .反应压力、和反应室尺寸 等都是影响氮化硅薄膜的性能工艺参数。







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影响因素

1. 温度

温度过高,首先就是 IPA不好控制,温度一高, IPA 的挥发很快,气泡印就会随之出现,这样就大大减少了 PN 结的有效面积,反应加剧 , 还会出现片子的漂浮,造成碎片率的增加。

可控程度:调节机器的设置,可以很好的调节温度。

2. 时间

金字塔随时间的变化:金字塔逐渐冒出来;表面上基本被小金字塔覆盖,少数开始成长;金字塔密布的绒面已经形成,只是大小不均匀,反射率也降到比较低的情况;金字塔向外扩张兼并,体积逐渐膨胀,尺寸趋于均等,反射率略有下降。可控程度:调节设备参数,可以调节时间。

3.IPA

1. 协助氢气的释放。 2. 减弱 NaOH 溶液对硅片的腐蚀力度,调节各向因子。纯 NaOH 溶液在高温下对原子排列比较稀疏的 100 晶面和比较致密的 111 晶面***比较大,各个晶面被腐蚀而消融, IPA 明显减弱 NaOH 的腐蚀强度,增加了腐蚀的各向异性,有利于金字塔的成形。乙醇含量过高,碱溶液对硅溶液腐蚀能力变得很弱,各向异性因子又趋于 1 。

可控程度:根据配液的含量,及每次大约消耗的量,来补充一定量的液体,控制精度不高。

4.NaOH

形成金字塔绒面。 NaOH浓度越高,金字塔体积越小,反应初期,金字塔成核密度近似不受 NaOH 浓度影响,碱溶液的腐蚀性随 NaOH 浓度变化比较显著,浓度高的 NaOH 溶液与硅反映的速度加快,再反应一段时间后,金字塔体积更大。 NaOH 浓度超过一定界限时,各向异性因子变小,绒面会越来越差,类似于抛光。可控程度:与 IPA 类似,控制精度不高。







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中国锂电池回收有关现行政策

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