降级组件-振鑫焱光伏组件价格?-单晶硅降级组件回收
作者:振鑫焱光伏科技2020/7/5 3:07:05
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视频作者:苏州振鑫焱光伏科技有限公司





电池片的制作工艺

振鑫焱光伏科技有限公司常年采购:高价回收硅片,电池片,单晶硅降级组件回收,初级多晶硅,银浆布,单晶硅,多晶硅,太阳能电池,光伏组件,太阳能电池板,客户撤退,降级,库存,El,不良测试,二手,旧,工程,拆卸,路灯,拆解电站,拆卸,胶合板,层压板,无边界晶体硅,多晶硅,单晶硅,实验板,债务偿还,返工,光伏模块回收等。

影响因素

1 .频率

射频 PECVD 系统大都采用 50kHz~13.56 MHz 的工业频段射频电源。较高频率( gt;4MHz )沉积的氮化硅薄膜具有更好的钝化效果和稳定性。

2 .射频功率

增加 RF 功率通常会改善 SiN 膜的质量。但是,功率密度不宜过大,超过 1W/cm2 时器件会造成严重的射频损伤。

3 .衬底温度

PECVD 膜的沉积温度一般为 250 ~ 400 ℃ 。这样能保证氮化硅薄膜在HF 中有足够低的腐蚀速率,并有较低的本征压力,从而有良好的热稳定性和抗裂能力。低于 200 ℃ 下沉积的氮化硅膜,本征应力很大且为张应力,而温度高于 450 ℃ 时膜容易龟裂。

4 .气体流量

影响氮化硅膜沉积速率的主要气体是 SiH4 。为了防止富硅膜,选择NH3/SiH4=2~20 (体积比)。气体总流量直接影响沉积的均匀性。为了防止反应区下游反应气体因耗尽而降低沉积速率,通常采用较大的气体总流量,以保证沉积的均匀性。

5 .反应气体浓度

SiH4 的百分比浓度及 SiH4/NH3 流量比,对沉积速率、氮化硅膜的组分及物化性质均有重大影响。

理想 Si3N4 的 Si/N = 0.75 ,而 PECVD 沉积的氮化硅的化学计量比会随工艺不同而变化,但多为富硅膜,可写成 SiN 。因此,必须控制气体中的 SiH4 浓度,不宜过高,并采用较高的 SiN 比。除了 Si 和 N 外, PECVD 的氮化硅一般还包含一定比例的氢原子,即 SixNyHZ 或 SiNx :H 。

6 .反应压力、和反应室尺寸 等都是影响氮化硅薄膜的性能工艺参数。







电池片的制作工艺

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4. 刮胶角度的影响

刮胶角度的调节范围为45-75 度。实际的刮胶角度与浆料有关,浆料黏度越高,流动性越差,需要刮胶对浆料向下的压力越大,刮胶角度接就越小。在印刷压力作用下,刮胶与丝网摩擦。开始一刷时近似直线,刮胶刃口对丝网的压力很大,工程拆卸降级组件回收,随着印刷次数增加,刃口呈圆弧形,作用于丝网单位面积的压力明显减小,刮胶刃口处与丝网的实际角度小于 45 度,易使印刷线条模糊,降级组件,粘网。在可调范围内,减小刮胶角度,下墨量增加,湿重加大。刮胶刃口钝,下墨量多,线宽大。

5. 浆料黏度的影响

印刷时浆料黏度的变化(触变性)如右图所示:

浆料的黏度与流动性呈反比,黏度越低,流动性越大,可在一定程度保证印刷的质量。浆料黏度过大,透墨性差,印刷时易产生桔皮、小孔。浆料黏度过小,印刷的图形易扩大(栅线膨胀),产生气泡、毛边。

6. 纱厚、膜厚的影响

一般情况下,丝网目数越低,线径越粗,印刷后的浆料层越高,因此丝网目数较高时,印刷后浆料层就低一些。对于同目数的丝网,纱厚越厚,透墨量越少。在一定范围内,感光胶膜越厚,下墨量越大,印刷的栅线越高。但膜厚增大,易造成感光胶脱落。

7. 印刷台面的影响

印刷台面的水平度:印刷时电池片被吸附于印刷台面,若台面不平,电池片在负压下易裂。一般电池片水平度应小于 0.02mm 。印刷台面与网版的平行度:决定了印刷浆料的一致性。一般二者平行度应小于 0.04mm 。印刷台的重复定位精度:太阳能电池片印刷台的重复定位精度需达到 0.01mm 。





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PECVD

PE 目的

在硅片表面沉积一层氮化硅减反射膜,以增加入射在硅片上的光的透射,减少反射,氢原子搀杂在氮化硅中附加了氢的钝化作用。

其化学反应可以简单写成 : SiH 4 NH 3 =SiN:H 3H 2 。

基本 原理

PECVD 技术原理是利用低温等离子体作能量源,样品置于低气压下辉光放电的阴极上,利用辉光放电(或另加发热体)使样品升温到预定的温度,然后通入适量的反应气体,气体经一系列化学反应和等离子体反应,在样品表面形成固态薄膜。 PECVD 方法区别于其它 CVD 方法的特点在于等离子体中含有大量高能量的电子,它们可以提供化学气相沉积过程所需的激活能。电子与气相分子的碰撞可以促进气体分子的分解、化合、激发和电离过程,生成活性很高的各种化学基团,因而显著降低 CVD 薄膜沉积的温度范围,使得原来需要在高温下才能进行的 CVD 过程得以在低温下实现。

基本特征

1. 薄膜沉积工艺的低温化( lt; 450 ℃ )。

2. 节省能源,降低成本。

3. 提高产能。

4. 减少了高温导致的硅片中少子寿命衰减。

扩散方式

PE 设备有两类:平板式和管式。

按反应方式分为:直接式(岛津)和间接式( Roth & Rau )。

直接式:基片位于一个电极上,直接接触等离子体。

间接式:基片不接触激发电极。 在微波激发等离子的设备里,等离子产生在反应腔之外,然后由石英管导入反应腔中。在这种设备里微波只激发 NH3 ,而 SiH4 直接进入反应腔。间接 PECVD 的沉积速率比直接的要高很多,这对大规模生产尤其重要。





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