振鑫焱光伏科技有限公司常年采购:高价回收硅片,电池片,初级多晶硅,银浆布,单晶硅,多晶硅,太阳能电池,光伏组件,太阳能电池板,客户撤退,降级,库存,El,不良测试,二手,旧,工程,拆卸,路灯,拆解电站,拆卸,胶合板,层压板,无边界晶体硅,多晶硅,单晶硅,实验板,***偿还,返工,光伏模块回收等。
2. 短路电流
在一定的温度和辐照条件下,太阳电池在端电压为零时的输出电流,通常用 I sc 来表示。
将 PN 结短路( V=0 ),因而 IF=0 ,这时所得的电流为短路电流 Isc ,显然有: I sc = I L , I sc 与太阳电池的面积大小有关,面积越大, I sc 越大。 I sc 与入射光的辐照度成正比。
3. 功率点
在太阳电池的伏安特性曲线上对应大功率的点,又称佳工作点。
4. 工作电压
太阳电池伏安特性曲线上大功率点所对应的电压。通常用 V m 表示
5. 工作电流
太阳电池伏安特性曲线上大功率点所对应的电流。通常用 I m 表示
6. 转换效率
受光照太阳电池的大功率与入射到该太阳电池上的全部辐射功率的百分比。 η = V m I m / A t
P in 其中 V m 和 I m 分别为大输出功率点的电压和电流, A t 为太阳电池的总面积,滴胶板逆变器回收, P in 为单位面积太阳入射光的功率。
7. 填充因子
太阳电池的大功率与开路电压和短路电流乘积之比,通常用 FF 表示: FF = I m V m / I sc V oc
I sc V oc 是太阳电池的极限输出功率, I m V m 是太阳电池的大输出功率,填充因子是表征太阳电池性能优劣的一个重要参数。
8. 电流温度系数
在规定的试验条件下,被测太阳电池温度每变化 1 0 C ,太阳电池短路电流的变化值,通常用 α 表示。对于一般晶体硅电池 α = 0.1%/ 0 C 。
9. 电压温度系数
在规定的试验条件下,被测太阳电池温度每变化 1 0 C ,太阳电池开路电压的变化值,通常用 β 表示。对于一般晶体硅电池 β = - 0.38%/ 0 C 。
振鑫焱光伏科技有限责任公司长期购置:天价回收硅片,电池片,初中级多晶硅,银浆布,单晶硅,多晶硅,太阳电池,太阳能组件,太阳能光伏板,顾客撤离,退级,库存量,El,欠佳检测,2手,旧,工程项目,拆装,道路路灯,拆卸发电厂,拆装,人造板,层压板,***限结晶硅,多晶硅,单晶硅,试验板,电站拆卸逆变器回收,负债还款,返修,太阳能发电控制模块收购等。
6、加工工艺小圆圈该怎样判?
人们检测处未作退级解决,假如发觉小圆圈的半经超出1.6mm立即向主管意见反馈或告之品管部,PECVD处会立即将高纯石墨舟换下来
7、隐裂片怎样造成?怎样判?
大部分是原料的难题,另一个是影片在外扩散高溫反映后內部分子结构产生撞击。在多芯片里,一些隐裂片裂缝并不是很长,能够按文档规定作需切角。
8、空气氧化的电池片怎样判?
如果不是将其风干,依据空气氧化后得色调判。(淡***)
9、怎样了解跑模产生在哪儿一条?
以料浆的色调来判,第二条豫第三道的料浆是不会改变的,各自是铝浆和银浆,色调各自为深***和乳白色。一层有将会是银浆或银铝浆,银铝浆是灰白,拆卸逆变器回收,另一个,要看漏浆的部位。
10、对断开未超出2mm的电池片,判断不相同? 先依照文档判断是不是超出规定的总数,如果不是,按断开的显著水平及部位。
振鑫焱光伏科技有限公司常年采购:高价回收硅片,电池片,初级多晶硅,银浆布,单晶硅,多晶硅,太阳能电池,阿图什逆变器,光伏组件,太阳能电池板,客户撤退,降级,库存,El,不良测试,二手,旧,工程,拆卸,路灯,拆解电站,拆卸,胶合板,层压板,无边界晶体硅,多晶硅,单晶硅,实验板,***偿还,返工,光伏模块回收等。
5 、 检测方法
5.1 设计和结构
5.1.1 基体材料
电池的基体材料应按相关详细规范的要求及检测方法进行检测。
5.1.2 电极
5.1.2.1 电池电极的完整性、电极图形位移的检验应使用分辨力优于 0.01mm 的标准尺测量。
5.1.2.2 在照度不小于 800Lux 的白色光源下,目测电极是否变色。
5.1.2.3 电池电极的导电性按 GB/T17473.3 进行。
5.1.2.4 电池电极的可焊性按 GB/T17473.7 进行。
5.1.3 背面铝膜
5.1.3.1 背面铝膜与基体材料的匹配性检测
通过检测电池的弯曲变形,验证背面铝膜材料的热膨胀系数与基体材料的匹配性。适用表面平整度优于 0.01mm 平台,电池背面朝下水平放置,用分辨力优于 0.01mm 的量具进行检验。
5.1.3.2 背面铝膜与基体材料的附着强度测验
如图 2 所示放置样品,在满足 EVA 充分交联的条件下压层,取出后立即撕下四氟布,待冷却到室温后,用刀割断 EVA 和铝膜,撕去 EVA 条,观察有无铝膜脱落。
5.1.3.3 背面铝膜外观检验
背面铝膜的凸起高度应使用分辨力优于 0.01mm 的带标尺的光学显微镜测量,图形缺陷采用目测。图形位移采用分辨力优于 0.02mm 的卡尺测量。
5.1.3.4 背面铝膜的导电性检测背面铝膜的导电性按GB/T17473.3 进行。
5.1.4 减反射膜附着强度检测
减反射膜附着强度的测试采用胶带试验测定粘合性的方法,胶带附着强度不小于 44N/mm 。具体按 ASTM3359 进行,减反射膜不脱落。
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