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影响因素
1 ．频率
射频 PECVD 系统大都采用 50kHz~13.56 MHz 的工业频段射频电源。较高频率（ gt;4MHz ）沉积的氮化硅薄膜具有更好的钝化效果和稳定性。
2 ．射频功率
增加 RF 功率通常会改善 SiN 膜的质量。但是，功率密度不宜过大，超过 1W/cm2 时器件会造成严重的射频损伤。
3 ．衬底温度
PECVD 膜的沉积温度一般为 250 ～ 400 ℃ 。这样能保证氮化硅薄膜在HF 中有足够低的腐蚀速率，并有较低的本征压力，从而有良好的热稳定性和抗裂能力。低于 200 ℃ 下沉积的氮化硅膜，本征应力很大且为张应力，而温度高于 450 ℃ 时膜容易龟裂。
4 ．气体流量
影响氮化硅膜沉积速率的主要气体是 SiH4 。为了防止富硅膜，选择NH3/SiH4=2~20 （体积比）。气体总流量直接影响沉积的均匀性。为了防止反应区下游反应气体因耗尽而降低沉积速率，通常采用较大的气体总流量，以保证沉积的均匀性。
5 ．反应气体浓度
SiH4 的百分比浓度及 SiH4/NH3 流量比，对沉积速率、氮化硅膜的组分及***性质均有重大影响。
理想 Si3N4 的 Si/N ＝ 0.75 ，而 PECVD 沉积的氮化硅的化学计量比会随工艺不同而变化，但多为富硅膜，可写成 SiN 。因此，必须控制气体中的 SiH4 浓度，不宜过高，并采用较高的 SiN 比。除了 Si 和 N 外， PECVD 的氮化硅一般还包含一定比例的氢原子，即 SixNyHZ 或 SiNx :H 。
6 ．反应压力、和反应室尺寸 等都是影响氮化硅薄膜的性能工艺参数。
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外扩散种类
1.稳定源外扩散：在稳态外扩散的标准下，企业時间内根据垂直平分外扩散方位的企业总面积的外扩散品质与该横截面处的浓度梯度正比。
2.限制源外扩散：在再遍布全过程中，外扩散是在限制源的标准下进有的，全部外扩散全过程的残渣源，限制于外扩散前积淀在硅片表层的***限薄层内的残渣总产量，沒有外地人残渣填补即在硅片表层处的残渣流相对密度。
生产车间应用的是二步外扩散：预淀积外扩散。预扩散是稳定源外扩散，关键是促使硅片表层汽体浓度值相同，维持整批方块电阻是匀称性。主外扩散是限制源外扩散，而且在主外扩散后进入大氮汽体，做为推动汽体，增加PN结深度。
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影响因素
1. 温度
温度 T 越高，扩散系数 D 越大，扩散速度越快。
2. 时间
对于恒定源：时间 t 越长结深越深，但表面浓度不变。
对于限定源：时间 t 越长结深越深，表面浓度越小。
3. 浓度
决定浓度是因素：氮气流量、源温。
表面浓度越大，扩散速度越快。
4. 第三组元
主要是掺硼量对扩散的影响，杂质增强扩散机制。在二元合金中加入第三元素时，扩散系数也会发生变化。掺硼量越大，扩散速率越快。即电阻率越小，越容易扩散。
控制点
方块电阻，外观，单片均匀性，整管均匀性。
方块电阻： 表面为正方形的半导体薄层在电流方向所呈现的电阻。 R= 电阻率 *L/S， 对方块硅片，长度等于宽度，则 R= 电阻率 / 厚度，方块电阻～ ( １／ Ns*Xj) Ns ：电化学浓度， Xj ：扩散结深。
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