电池片的检验

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电池片的检测

一、检测的标准

1．高于800LX的直射下，间距电池片30-50cm的间距，看着方位垂直平分电池片表层观查。

二、检测的方式 1、取放电池片时要轻拿小心轻放，125的电池片维持在1-2的检验速率，150及156的电池片要一整片一整片的开展查验。

三、检验新项目1．色调偏色2．绒面色素斑3．亮斑4．裂痕、裂缝及破孔5．弯折的6．崩边、豁口、掉角7．印刷偏位8．TTV9．铝珠、铝苞10．包装印刷图型11．跑模12．尺寸

电池片常见异常情况处理方法

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六、 虚印：

1、 网版堵塞：用醇先擦一遍，再用干无尘布擦干；

2、 印刷***条不平:更换***条；

3、 网版不合格：更换网版；

4、 车间温度与湿度不合适：温度控制在22±2℃，湿度控制在50±3%；

5、 印刷参数不合格：调整印刷压力、印刷间隙与印刷速度

6、 工作台板不平，磨损严重：检查更换工作台板；

7、 印刷机导轨不平：设备重新调整导轨；

七、 粗线：

1、 原硅片为线痕片：控制线痕原硅片；

2、 网版使用次数太多，张力不够：更换新网版。

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影响因素

1 ．频率

射频 PECVD 系统大都采用 50kHz~13.56 MHz 的工业频段射频电源。较高频率（ gt;4MHz ）沉积的氮化硅薄膜具有更好的钝化效果和稳定性。

2 ．射频功率

增加 RF 功率通常会改善 SiN 膜的质量。但是，功率密度不宜过大，超过 1W/cm2 时器件会造成严重的射频损伤。

3 ．衬底温度

PECVD 膜的沉积温度一般为 250 ～ 400 ℃ 。这样能保证氮化硅薄膜在HF 中有足够低的腐蚀速率，并有较低的本征压力，从而有良好的热稳定性和抗裂能力。低于 200 ℃ 下沉积的氮化硅膜，本征应力很大且为张应力，而温度高于 450 ℃ 时膜容易龟裂。

4 ．气体流量

影响氮化硅膜沉积速率的主要气体是 SiH4 。为了防止富硅膜，选择NH3/SiH4=2~20 （体积比）。气体总流量直接影响沉积的均匀性。为了防止反应区下游反应气体因耗尽而降低沉积速率，通常采用较大的气体总流量，以保证沉积的均匀性。

5 ．反应气体浓度

SiH4 的百分比浓度及 SiH4/NH3 流量比，对沉积速率、氮化硅膜的组分及***性质均有重大影响。

理想 Si3N4 的 Si/N ＝ 0.75 ，而 PECVD 沉积的氮化硅的化学计量比会随工艺不同而变化，但多为富硅膜，可写成 SiN 。因此，必须控制气体中的 SiH4 浓度，不宜过高，并采用较高的 SiN 比。除了 Si 和 N 外， PECVD 的氮化硅一般还包含一定比例的氢原子，即 SixNyHZ 或 SiNx :H 。

6 ．反应压力、和反应室尺寸 等都是影响氮化硅薄膜的性能工艺参数。

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