太阳电池片标准

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5 、 检测方法

5.1 设计和结构

5.1.1 基体材料

电池的基体材料应按相关详细规范的要求及检测方法进行检测。

5.1.2 电极

5.1.2.1 电池电极的完整性、电极图形位移的检验应使用分辨力优于 0.01mm 的标准尺测量。

5.1.2.2 在照度不小于 800Lux 的白色光源下，目测电极是否变色。

5.1.2.3 电池电极的导电性按 GB/T17473.3 进行。

5.1.2.4 电池电极的可焊性按 GB/T17473.7 进行。

5.1.3 背面铝膜

5.1.3.1 背面铝膜与基体材料的匹配性检测

通过检测电池的弯曲变形，验证背面铝膜材料的热膨胀系数与基体材料的匹配性。适用表面平整度优于 0.01mm 平台，电池背面朝下水平放置，用分辨力优于 0.01mm 的量具进行检验。

5.1.3.2 背面铝膜与基体材料的附着强度测验

如图 2 所示放置样品，在满足 EVA 充分交联的条件下压层，取出后立即撕下四氟布，待冷却到室温后，用刀割断 EVA 和铝膜，撕去 EVA 条，观察有无铝膜脱落。

5.1.3.3 背面铝膜外观检验

背面铝膜的凸起高度应使用分辨力优于 0.01mm 的带标尺的光学显微镜测量，图形缺陷采用目测。图形位移采用分辨力优于 0.02mm 的卡尺测量。

5.1.3.4 背面铝膜的导电性检测背面铝膜的导电性按GB/T17473.3 进行。

5.1.4 减反射膜附着强度检测

减反射膜附着强度的测试采用胶带试验测定粘合性的方法，胶带附着强度不小于 44N/mm 。具体按 ASTM3359 进行，减反射膜不脱落。

电池片的制作工艺

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PECVD

PE 目的

在硅片表面沉积一层氮化硅减反射膜，以增加入射在硅片上的光的透射，减少反射，氢原子搀杂在氮化硅中附加了氢的钝化作用。

其化学反应可以简单写成 ： SiH 4 NH 3 =SiN:H 3H 2 。

基本 原理

PECVD 技术原理是利用低温等离子体作能量源，样品置于低气压下辉光放电的阴极上，利用辉光放电（或另加发热体）使样品升温到预定的温度，然后通入适量的反应气体，废旧光伏电池板回收价格，气体经一系列化学反应和等离子体反应，在样品表面形成固态薄膜。 PECVD 方法区别于其它 CVD 方法的特点在于等离子体中含有大量高能量的电子，它们可以提供化学气相沉积过程所需的激活能。电子与气相分子的碰撞可以促进气体分子的分解、化合、激发和电离过程，生成活性很高的各种化学基团，因而显著降低 CVD 薄膜沉积的温度范围，使得原来需要在高温下才能进行的 CVD 过程得以在低温下实现。

基本特征

1. 薄膜沉积工艺的低温化（ lt; 450 ℃ ）。

2. 节省能源，降低成本。

3. 提高产能。

4. 减少了高温导致的硅片中少子寿命衰减。

扩散方式

PE 设备有两类：平板式和管式。

按反应方式分为：直接式（岛津）和间接式（ Roth ＆ Rau ）。

直接式：基片位于一个电极上，直接接触等离子体。

间接式：基片不接触激发电极。 在微波激发等离子的设备里，等离子产生在反应腔之外，然后由石英管导入反应腔中。在这种设备里微波只激发 NH3 ，而 SiH4 直接进入反应腔。间接 PECVD 的沉积速率比直接的要高很多，这对大规模生产尤其重要。

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刻蚀工艺

刻蚀目的

将硅片边缘的带有的磷去除干净，避免 PN 结短路造成并联电阻降低。

刻蚀原理

采用干法刻蚀。采用高频辉光放电反应， 采用高频辉光放电反应，使反应气体激活成活性粒子，如原子或各种游离基，这些活性粒子扩散到硅片边缘，在那里与硅进行反应，形成挥发性生成物四氟化硅而被去除。

化学公式： CF 4 SIO 2 =SIF 4 CO 2

工艺流程

预抽，主抽，送气，辉光，抽空，清洗，预抽，主抽 ，充气。

影响因素

1. 射频功率

射频功率过高：等离子体中离子的能量较高会对硅片边缘造成较大的轰击损伤，导致边缘区域的电性能差从而使电池的性能下降。在结区（耗尽层）造成的损伤会使得结区复合增加。

射频功率太低：会使等离子体不稳定和分布不均匀，从而使某些区域刻蚀过度而某些区域刻蚀不足，导致并联电阻下降。

2. 时间

刻蚀时间过长：刻蚀时间越长对电池片的正反面造成损伤影响越大，时间长到一定程度损伤不可避免会延伸到正面结区，从而导致损伤区域高复合。

刻蚀时间过短：刻蚀不充分，没有把边缘鳞去干净， PN 结依然有可能短路造成并联电阻降低。

4. 压力

压力越大，气体含量越少，参与反应的气体也越多，刻蚀也越充份。

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