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4.1 ***
从图 5 的印刷原理示意中可以看出,***的作用是将浆料以一定的速度和角度将浆料压入丝网的漏孔中,***在印刷时对丝网保持一定的压力,刃口压强在 10 ~ 15N / cm 之间,刮板压力过大容易使丝网发生变形,印刷后的图形与丝网的图形不一致,也加剧***和丝网的磨损,刮板压力过小会在印刷后的丝网上存在残留浆料。
***材料一般为聚胺脂橡胶或氟化橡胶,硬度范围为邵氏 A60° ~ A90° ,刮板条的硬度越低,印刷图形的厚度越大,***材料必须耐磨,刃口有很好的直线性,保持与丝网的全接触;***一般选用菱形***,它具有 4 个刃口,可逐个使用,利用率高。
***速度:***速度是决定效率的大因素,以半自动印刷机为例,多晶硅报废组件回收,印刷所占时间一般为总循环的 2 / 3 ;印刷速度的设定由印刷图形和印刷用浆料的黏度决定,速度越高,***带动浆料进入丝网漏孔的时间越短,浆料的填充性会差,出现图 7 所示现象,如果印刷线条精细,速度应低一些,图 4 所示的正银工序中栅线的线宽在 0.1 ~ 0.12nun ,一般速度设定在 200 ~ 250mm / s ,图 3 所示的背铝和背银工序因印刷线条宽速度设定在 300mm / s ;印刷用浆料因不同工序而不同,相应黏度不同,但总体黏度比较低,所以印刷速度较快;在实际的印刷中速度的恒定同样很重要,如果在印刷过程中速度出现波动,会导致图形厚度的不一致。
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一14、漏浆
***: 漏浆单独总面积低于0.5*0.5mm,总数低于3个
B级:跑模单独总面积低于1。0*1.0mm总数不分
C级:跑模单独总面积低于1。0*2。0mm总数不分
缺点/报废片:
超过C级片的规定为缺点片,超过缺点片规定的为报费片。
注:(1)在一切正常包装印刷图型处时,依照“包装印刷图型”要求分辨,没有包装印刷图型处时依照以上要求辨别。
(2)跑模在背静电场或背电级时,依据铝苞要求分辨
(3)跑模在侧边时,假如影象电池片电气性能和外型时,则返修后再次归类检验,随后再次判断,假如不危害电池片电气性能和外型的时候一切正常排出
(4)硅晶掉下来按跑模总面积判断新的规范:与旧的规范同样侧边漏浆片做打磨抛光片解决打磨抛光片处理过程非铝苞片:一概出口(不 Rsh≥6)零头和满包全入出口货位备注名称:DM选用黄标识铝苞片:暂未作自购片待产品研发作部件实验( Rsh≥6)零头入铝苞零头货位满包入铝苞满包货位备注名称:DM LB选用白标识
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PECVD
PE 目的
在硅片表面沉积一层氮化硅减反射膜,以增加入射在硅片上的光的透射,减少反射,氢原子搀杂在氮化硅中附加了氢的钝化作用。
其化学反应可以简单写成 : SiH 4 NH 3 =SiN:H 3H 2 。
基本 原理
PECVD 技术原理是利用低温等离子体作能量源,样品置于低气压下辉光放电的阴极上,利用辉光放电(或另加发热体)使样品升温到预定的温度,然后通入适量的反应气体,气体经一系列化学反应和等离子体反应,在样品表面形成固态薄膜。 PECVD 方法区别于其它 CVD 方法的特点在于等离子体中含有大量高能量的电子,它们可以提供化学气相沉积过程所需的***能。电子与气相分子的碰撞可以促进气体分子的分解、化合、激发和电离过程,生成活性很高的各种化学基团,因而显著降低 CVD 薄膜沉积的温度范围,使得原来需要在高温下才能进行的 CVD 过程得以在低温下实现。
基本特征
1. 薄膜沉积工艺的低温化( lt; 450 ℃ )。
2. 节省能源,降低成本。
3. 提高产能。
4. 减少了高温导致的硅片中少子寿命衰减。
扩散方式
PE 设备有两类:平板式和管式。
按反应方式分为:直接式(岛津)和间接式( Roth & Rau )。
直接式:基片位于一个电极上,直接接触等离子体。
间接式:基片不接触激发电极。 在微波激发等离子的设备里,等离子产生在反应腔之外,然后由石英管导入反应腔中。在这种设备里微波只激发 NH3 ,而 SiH4 直接进入反应腔。间接 PECVD 的沉积速率比直接的要高很多,这对大规模生产尤其重要。
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