晶体硅电池片

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晶体硅电池片检验方法：

2 ） 外观目测：

a. 与表面成 35 °角日常光照情况下观察表面颜色，目视颜色均匀 一致 ，无明显色差花斑、水痕、手印、划痕及污垢。

b. 隐裂：电池片有隐裂、 肉眼可见的裂纹， 均视为不合格

c. 背面铝背电极完整，表面平整 、 边界清晰 、 无明显凸起的“铝珠 ， 脱落 3mm 2 / 个 ≤ 5mm 2 、鼓泡累计面积≤5mm

2 ， 背面铝膜与基体材料的附着强度? 背膜烧结：用层压机 130 — 145 度，超过 10 分钟。冷却到室温后，用刀片隔开 1cm 的宽度，用大于 50N 的拉力，铅膜不随 EVA 脱落，则认为合格。

d. 受光面栅线：主栅线均匀完整，栅线印刷清晰、对称；主栅线与细栅线处允许≤ 1mm ；细栅线允许≤ 2mm 的脱落；栅线印刷偏离，明显两次印刷的返工片视为不合格；断点的总数≤ 60mm。

e. 崩边：每一边不超过两处崩边，崩边间距≥ 30mm 、深度≤ 0.5 片子厚度、面积≤ mm 2

f . 电池边缘缺角面积不超过 1mm 2 ，数量不超过 2 个。缺角：一边有一处崩边，面积≤5mm 2 ，一边由两处崩边、面积≤3mm 2

g. 电池的崩边、钝形缺口等外形缺损的尺寸要求：长度不大于 1.5mm ，由边缘向中心的深度不大于 0.5mm ，同一片电池上正面出现此类外形缺损数量不超过两处。同时不允许电池上 V 形缺口。

电池片的制作工艺

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PECVD

PE 目的

在硅片表面沉积一层氮化硅减反射膜，以增加入射在硅片上的光的透射，减少反射，氢原子搀杂在氮化硅中附加了氢的钝化作用。

其化学反应可以简单写成 ： SiH 4 NH 3 =SiN:H 3H 2 。

基本 原理

PECVD 技术原理是利用低温等离子体作能量源，样品置于低气压下辉光放电的阴极上，利用辉光放电（或另加发热体）使样品升温到预定的温度，然后通入适量的反应气体，气体经一系列化学反应和等离子体反应，在样品表面形成固态薄膜。 PECVD 方法区别于其它 CVD 方法的特点在于等离子体中含有大量高能量的电子，它们可以提供化学气相沉积过程所需的***能。电子与气相分子的碰撞可以促进气体分子的分解、化合、激发和电离过程，生成活性很高的各种化学基团，因而显著降低 CVD 薄膜沉积的温度范围，使得原来需要在高温下才能进行的 CVD 过程得以在低温下实现。

基本特征

1. 薄膜沉积工艺的低温化（ lt; 450 ℃ ）。

2. 节省能源，降低成本。

3. 提高产能。

4. 减少了高温导致的硅片中少子寿命衰减。

扩散方式

PE 设备有两类：平板式和管式。

按反应方式分为：直接式（岛津）和间接式（ Roth ＆ Rau ）。

直接式：基片位于一个电极上，直接接触等离子体。

间接式：基片不接触激发电极。 在微波激发等离子的设备里，等离子产生在反应腔之外，然后由石英管导入反应腔中。在这种设备里微波只激发 NH3 ，而 SiH4 直接进入反应腔。间接 PECVD 的沉积速率比直接的要高很多，这对大规模生产尤其重要。

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