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蚀刻或离子注入完成后，将进行光刻的***后一步，即光致抗蚀剂去除，以促进半导体器件制造的其他步骤。通常，在半导体器件的整个制造过程中，执行许多光刻工艺。生产复杂集成电路的过程可能需要多达50个光刻步骤，而生产薄膜所需的光刻步骤数量将更少。

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立体结构:应时玻璃片上覆盖有集成电路图像铬金属膜的图像。十字线:当铬膜玻璃只能部分覆盖晶片时，称为十字线光掩模，图案通常放大4、5或10倍。掩模:当铬膜玻璃上的图像可以覆盖整个晶片时，它被称为掩模。

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为了避免掩模对要蒸发的衬底造成损坏，通常在掩模上设置保护膜，并且保护膜由有机材料制成。当保护膜接触要蒸发的基板时，保护膜对要蒸发的基板造成的损害小于掩模对要蒸发的基板造成的损害。

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