旧电池板回收价格服务介绍
作者:振鑫焱光伏科技2020/10/7 23:38:02
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视频作者:苏州振鑫焱光伏科技有限公司






光伏组件的接线端子盒是一个黑色的塑料盒子,位于背板后面,连接外部的电缆由其中伸出。 在接线盒内部安装有二极管整流回路。太阳能电池各单元之间采用串联方式连接,如果光伏组件上某一电池单元因日光照射不到而出现电流降低的情况, 为了与处于同一串联回路上的其它电池单元保持相同的电流,该电池单元将不得不承受其它电池单元工作时所施加的反向电压。例如 一套 60 个单元的串联组件发电系统,当某一个单元电流下降时将要承受约 30V 的反向电压(每个单元工作电压为 0.5V ,则 0.5V × 59 ≈ 30V )。在这种情况下, 该电池单元就相当于一个耗能电阻,它将消耗其它电池单元所产生电能并产生热量 。为了防止这种情况的发生,大约每 20 个电池单元需要并联一个二极管作为保护,大约可以抵消- 10V 的反向电压。此时在并联的旁路二极管中流过正向电流,也会使二极管的结温上升,如果使用了不适当的电流容量的二极管,或者二极管的连接方式错误,其发热量会导致焊接部位熔化,在恶劣的情况下甚至会引起火灾。因此,对于太阳能电池板而言,要充分考虑其散热和阻燃性能,并进行必要的防灾设计。万一二极管因发热而被击穿,被这个二极管所保护的电池单元将再次承受较大的反向电压,电池单元的进一步发热甚至会引起整个光伏组件的燃烧,对于这种***必须加以考虑。还记得2016年夏季的时候因为雷电让不少农村光伏发电用户饱受损失,回想起逆变器、组件被烧的情景至今难忘,用“谈雷色变”来说也一点也不过。

接线盒内部有用灌封胶充填的也有不充填的。考虑到灌封胶的耐热性能和耐风化性能,使用得为广泛的是硅树脂,这种灌封胶的使用同时考虑了二极管的散热需求。各家公司对于灌封胶的阻燃等级有着不同的要求。在不充填灌封胶的情况下需要设置通气孔以解决接线盒内部结露的问题,为了防止进水,在通气孔上还要贴上透气性的防水薄膜。话虽如此,诺曼底1公里路造价就为500万欧元(430万英镑),这还只是对一条双车道高速公路的单车道而言。





光可分为不同波长,我们可以通过彩虹看出这一点。由于射到电池的光的光子能量范围很广,因此有些光子没有足够的能量来形成电子空穴对。它们只是穿过电池,就像电池是透明的一样。但其他一些光子的能量却很强。只有达到一定的能量 —— 单位为电子伏特( eV ),由电池材料(对于晶体硅,约为 1.1eV )决定 —— 才能使电子逸出。我们将这个能量值称为材料的带隙能量。如果光子的能量比所需的能量多,则多余的能量会损失掉(除非光子的能量是所需能量的两倍,并且可以创建多组电子空穴对,但这种效应并不重要)。仅这两种效应就会造成电池中 70% 左右的辐射能损失。振鑫焱现在正在接受一个为期两年的测试,检测其是否能够承受每天被数以千计的汽车和卡车撞击,以及是否能够提供足够的电量。

为何我们不选择一种带隙很低的材料,以便利用更多的光子?10kW)的系统中,很多并行的光伏组串被连到同一台集中逆变器的直流输入端,一般功率大的使用三相的IGBT功率模块,功率较小的使用场效应晶体管,同时使用DSP转换控制器来改善所产出电能的质量,使它非常接近于正弦波电流。遗憾的是,带隙还决定了电场强度(电压),如果带隙过低,那么在增大电流(通过吸收更多电子)的同时,也会损失一定的电压。请记住,功率是电压和电流的乘积。带隙能量必须能平衡这两种效应,对于由单一材料制成的电池,这个值约为 1.4 电子伏特。





太阳能电池阵列设计步骤 1. 计算负载 24h 消耗容量 P 。
P=H/V
V—— 负载额定电源
2. 选定每天 日照 时数 T(H) 。
3. 计算太阳能阵列工作电流。
IP=P(1 Q)/T
Q—— 按阴雨期富余系数, Q=0.21 ~ 1.00
4. 确定蓄电池浮充电压 VF 。
镉镍 (GN) 和铅酸 (CS) 蓄电池的单体浮充电压分别为 1.4 ~ 1.6V 和 2.2V 。
5. 太阳能电池 温度补偿 电压 VT 。
VT=2.1/430(T-25)VF
6. 计算太阳能电池阵列工作电压 VP 。
VP=VF VD VT
其中 VD=0.5 ~ 0.7
约等于 VF
7. 太阳电池阵列输出功率 WP 平板式太阳能电板。
WP=IP×UP
8. 根据 VP 、 WP 在硅电池平板组合系列表格,确定标准规格的串联块数和并联组数。另一和安全有关的因素是是否需要使用隔离变压器(高频或低频),或者允许使用无变压器式的逆变器。




晶体硅(单晶、多晶)太阳能电池的主体结构为晶体硅材料,前表面印刷了栅线状的银作为负电极;而背面除了 2 根银电极外,其余都是铝,我们称之为铝背场,由丝网印刷铝浆料,在 800 多度的高温下采用合金化工艺烧结成型。

其作用是:

一是与 P 型的晶体硅衬底形成 P 结,减少少子复合,提高少子扩散长度;

二是形成合金背场,对长波部分光线具有一定程度的反射作用,增加光电转换效率;

三是导电作用。





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