电池片的制作工艺

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外扩散种类

1.稳定源外扩散：在稳态外扩散的标准下，企业時间内根据垂直平分外扩散方位的企业总面积的外扩散品质与该横截面处的浓度梯度正比。

2.限制源外扩散：在再遍布全过程中，外扩散是在限制源的标准下进有的，全部外扩散全过程的残渣源，限制于外扩散前积淀在硅片表层的***限薄层内的残渣总产量，沒有外地人残渣填补即在硅片表层处的残渣流相对密度。

生产车间应用的是二步外扩散：预淀积外扩散。预扩散是稳定源外扩散，关键是促使硅片表层汽体浓度值相同，维持整批方块电阻是匀称性。主外扩散是限制源外扩散，而且在主外扩散后进入大氮汽体，做为推动汽体，增加PN结深度。

单晶硅片

单晶硅片

当今开发设计得更快的这种太阳电池，它的组成和生产工艺流程已定形，商品已普遍用以宇宙空间和路面设备。这类太阳电池以高纯度的单晶硅棒为原材料，纯净度规定99.999%。以便降低成本成本费，如今路面运用的太阳电池等选用太阳能发电级的单晶硅棒，原材料性能参数有一定的放开。有的也可应用集成电路工艺生产加工的头尾料和废次单晶硅原材料，历经复拉做成太阳电池专用型的单晶硅棒。将单晶硅棒切一片，通常片厚约0.3mm。硅片历经成型、研磨抛光、清理等工艺流程，做成待生产加工的原材料硅片。生产加工太阳电池片，先要在硅片上夹杂和外扩散，通常夹杂物为微量分析的硼、磷、锑等。外扩散是在石英管做成的高溫扩散炉中开展。那样就在硅片上产生P/FONTgt;N 结。然后采用丝网印刷法，将配好的银浆印在硅片上做成栅线，经过烧结，同时制成背电极，并在有栅线的面涂覆减反射源，以防大量的光子被光滑的硅片表面反射掉，至此，单晶硅太阳电池的单体片就制成了。单体片经过抽查检验，即可按所需要的规格组装成太阳电池组件（太阳电池板），用串联和并联的方法构成一定的输出电压和电流，后用框架和封装材料进行封装。用户根据系统设计，可将太阳电池组件组成各种大小不同的太阳电池方阵，亦称太阳电池阵列。目前单晶硅太阳电池的光电转换效率为 15% 左右，实验室成果也有 20% 以上的。用于宇宙空间站的还有高达 50% 以上的太阳能电池板。

太阳电池片标准

3、界定

3.1钝性豁口豁口样子展现为沿边沿轻缓衔接，并不是向管理中心深层次的情况。

3.2V形豁口豁口样子展现为向管理中心锐利深层次的样子，相近英文字母“V”。

4、规定

4.1设计方案和构造4.1.1PCB原材料充电电池的PCB原材料就是指单晶硅片或多晶硅片，应合乎有关标准的要求。

4.1.2电级

4.1.2.1电级图型详细电级图型规格及样子应产成品详尽标准中要求。4.1.2.2电级应无掉色状况（如硫化橡胶造成的掉色）。4.1.2.3电级的导电率应产成品详尽标准中要求。

4.1.2.4电级的可焊性应产成品详尽标准中要求。

4.1.3铝背场4.1.3.1选用铝背场总体设计的充电电池，因为反面铝膜造成的充电电池弯折形变应产成品的详尽标准中要求。

4.1.3.2反面铝膜与PCB原材料的粘附抗压强度应产成品的详尽标准中要求。

4.1.3.3反面铝膜的突起高宽比应产成品详尽标准要求。铝膜图型详细，图型偏移应产成品详尽标准中要求。

4.1.3.4反面铝膜的导电率应产成品详尽标准中要求。

4.1.4减反射膜选用减反射膜设计方案构造的充电电池，减反射膜与PCB原材料的粘附抗压强度选用5.1.4要求的方式 开展检验后，减反射膜不掉下来。

4.1.5规格表1和表2要求了典型性充电电池的规格规定，别的充电电池的规格规格型号规定应产成品详尽标准中要求。