晶体硅电池片

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晶体硅电池片检验方法：

2 ） 外观目测：

a. 与表面成 35 °角日常光照情况下观察表面颜色，目视颜色均匀 一致 ，无明显色差花斑、水痕、手印、划痕及污垢。

b. 隐裂：电池片有隐裂、 肉眼可见的裂纹， 均视为不合格

c. 背面铝背电极完整，表面平整 、 边界清晰 、 无明显凸起的“铝珠 ，图木舒克多晶硅， 脱落 3mm 2 / 个 ≤ 5mm 2 、鼓泡累计面积≤5mm

2 ， 背面铝膜与基体材料的附着强度? 背膜烧结：用层压机 130 — 145 度，超过 10 分钟。冷却到室温后，旧多晶硅，用刀片隔开 1cm 的宽度，用大于 50N 的拉力，铅膜不随 EVA 脱落，则认为合格。

d. 受光面栅线：主栅线均匀完整，栅线印刷清晰、对称；主栅线与细栅线处允许≤ 1mm ；细栅线允许≤ 2mm 的脱落；栅线印刷偏离，明显两次印刷的返工片视为不合格；断点的总数≤ 60mm。

e. 崩边：每一边不超过两处崩边，崩边间距≥ 30mm 、深度≤ 0.5 片子厚度、面积≤ mm 2

f . 电池边缘缺角面积不超过 1mm 2 ，数量不超过 2 个。缺角：一边有一处崩边，面积≤5mm 2 ，一边由两处崩边、面积≤3mm 2

g. 电池的崩边、钝形缺口等外形缺损的尺寸要求：长度不大于 1.5mm ，由边缘向中心的深度不大于 0.5mm ，同一片电池上正面出现此类外形缺损数量不超过两处。同时不允许电池上 V 形缺口。

晶硅太阳能电池板的制作过程

晶硅太阳能光伏板的制做全过程

3、去磷硅玻璃该加工工艺用以太阳能电池片生产加工全过程中，根据有机化学浸蚀法也即把硅片放到盐酸水溶液中侵泡，使其造成放热反应转化成可溶的络和物六***，以除去外扩散制结后在硅片表层产生的一层层磷硅玻璃。在外扩散全过程中，POCL3与O2反映转化成P2O5淀积在硅片表层。P2O5与Si反映又转化成SiO2和磷分子，那样就在硅片表层产生一层层带有磷原素的SiO2，称作磷硅玻璃。去磷硅玻璃的机器设备通常由本身、清理槽、伺服电机驱动器系统软件、机械手臂、电气系统和全自动配酸系统软件等一部分构成，关键能源有盐酸、N2、空气压缩、纯净水，热排风系统和污水。盐酸可以融解sio2由于盐酸与sio2反映转化成容易挥发的四***汽体。若盐酸过多，反映转化成的四***会深化与盐酸反映转化成可溶的络和物六***。

4、低温等离子刻蚀因为在外扩散全过程中，即便选用背对背外扩散，硅片的全部表层包含边沿都将难以避免地外扩散上磷。PN结的反面所搜集到的光生电子器件会顺着边沿外扩散有磷的地区流进PN结的反面，而导致短路故障。因而，务必对太阳电池附近的夹杂硅开展刻蚀，以除去充电电池边沿的PN结。一般 选用低温等离子刻蚀技术性进行这一加工工艺。低温等离子刻蚀是在底压情况下，反映汽体CF4的孕妈分子结构在频射输出功率的激起下，造成电离并产生等离子技术。等离子技术是由感应起电的电子器件和正离子构成，反映波导管中的汽体在电子器件的碰撞下，除开转化成正离子外，还能消化吸收动能并产生很多的特异性基团。特异性反映基团因为外扩散或是在静电场***下抵达SiO2表层，在那边与被刻蚀原材料表层产生放热反应，并产生挥发物的反映反应物摆脱被刻蚀化学物质表层，被超滤装置抽出来波导管。

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外扩散种类

1.稳定源外扩散：在稳态外扩散的标准下，企业時间内根据垂直平分外扩散方位的企业总面积的外扩散品质与该横截面处的浓度梯度正比。

2.限制源外扩散：在再遍布全过程中，二手多晶硅，外扩散是在限制源的标准下进有的，全部外扩散全过程的残渣源，限制于外扩散前积淀在硅片表层的***限薄层内的残渣总产量，沒有外地人残渣填补即在硅片表层处的残渣流相对密度。

生产车间应用的是二步外扩散：预淀积外扩散。预扩散是稳定源外扩散，关键是促使硅片表层汽体浓度值相同，维持整批方块电阻是匀称性。主外扩散是限制源外扩散，而且在主外扩散后进入大氮汽体，做为推动汽体，增加PN结深度。

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