回收碎电池片的方法

振鑫焱光伏科技有限责任公司长期购置：天价回收硅片，电池片，初中级多晶硅，银浆布，单晶硅，多晶硅，太阳电池，太阳能组件，太阳能光伏板，顾客撤离，退级，库存量，El，欠佳检测，2手，旧，工程项目，拆装，道路路灯，拆卸发电厂，拆装，人造板，层压板，***限结晶硅，多晶硅，单晶硅，试验板，负债还款，返修，太阳能发电控制模块收购等。

收购碎电池片的方式

电池片切开:将单晶硅棒切割成具备精准几何图形规格的薄硅片。此全过程中造成的硅粉选用水淋,造成污水和硅渣。

电池片淬火:双工装夹具热氧化炉经N2吹扫后,用红外线加温至300~500℃,硅片表层和co2产生反映,使硅片表层产生sio2保护层厚度。

电池片倒角:将淬火的硅片开展整修成圆弧状,避免硅片边沿裂开及晶格常数缺点造成,提升磊晶层及光阻层的平整度。此全过程中造成的硅粉选用水淋,造成污水和硅渣。

电池片的制作工艺

振鑫焱光伏科技有限公司常年采购：高价回收硅片，电池片，初级多晶硅，银浆布，单晶硅，多晶硅，太阳能电池，光伏组件，太阳能电池板，客户撤退，降级，库存，El，不良测试，二手，旧，工程，拆卸，路灯，拆解电站，拆卸，胶合板，层压板，无边界晶体硅，多晶硅，单晶硅，实验板，***偿还，返工，光伏模块回收等。

影响因素

1 ．频率

射频 PECVD 系统大都采用 50kHz~13.56 MHz 的工业频段射频电源。较高频率（ gt;4MHz ）沉积的氮化硅薄膜具有更好的钝化效果和稳定性。

2 ．射频功率

增加 RF 功率通常会改善 SiN 膜的质量。但是，功率密度不宜过大，超过 1W/cm2 时器件会造成严重的射频损伤。

3 ．衬底温度

PECVD 膜的沉积温度一般为 250 ～ 400 ℃ 。这样能保证氮化硅薄膜在HF 中有足够低的腐蚀速率，并有较低的本征压力，从而有良好的热稳定性和抗裂能力。低于 200 ℃ 下沉积的氮化硅膜，本征应力很大且为张应力，而温度高于 450 ℃ 时膜容易龟裂。

4 ．气体流量

影响氮化硅膜沉积速率的主要气体是 SiH4 。为了防止富硅膜，选择NH3/SiH4=2~20 （体积比）。气体总流量直接影响沉积的均匀性。为了防止反应区下游反应气体因耗尽而降低沉积速率，通常采用较大的气体总流量，以保证沉积的均匀性。

5 ．反应气体浓度

SiH4 的百分比浓度及 SiH4/NH3 流量比，对沉积速率、氮化硅膜的组分及***性质均有重大影响。

理想 Si3N4 的 Si/N ＝ 0.75 ，而 PECVD 沉积的氮化硅的化学计量比会随工艺不同而变化，但多为富硅膜，可写成 SiN 。因此，必须控制气体中的 SiH4 浓度，不宜过高，并采用较高的 SiN 比。除了 Si 和 N 外， PECVD 的氮化硅一般还包含一定比例的氢原子，即 SixNyHZ 或 SiNx :H 。

6 ．反应压力、和反应室尺寸 等都是影响氮化硅薄膜的性能工艺参数。

电池片丝网印刷技术

振鑫焱光伏科技有限责任公司长期购置：天价回收硅片，电池片，初中级光伏电池，银浆布，单晶硅，光伏电池，太阳能电池板，太阳能组件，太阳能光伏板，顾客撤离，退级，库存量，El，欠佳检测，二手，旧工程项目，拆装，道路路灯，拆卸发电厂，拆装，人造板，聚酰薄膜，***限结晶硅，光伏电池，单晶硅，试验板，负债还款，返修，太阳能发电控制模块收购等。 4.3 浆料 浆料是由作用组份、粘接组份和有机化学质粒载体构成的一种流体力学，浆料有导体浆料、电阻器浆料、物质浆料和包管浆料等。在背银，背铝及正银工艺流程中常用浆料为导体浆料。在导体浆料中，作用组份一般为***或***的化合物。质粒载体是高聚物在有机化学 *** 中的水溶液。作用组份决策了破乳后的电气性能物理性能。质粒载体决策了厚膜的加工工艺特性，是印刷膜和干躁膜的临时性粘接剂。作用组份和粘接组份一般为粉状，在质粒载体中开展充足拌和和分散化后产生膏状的厚膜浆料。煅烧后的厚膜导体是由金属材料与粘接组份构成。 浆料的技术性性能参数就是指浆料中作用成份（背银浆料中的银铝成份、正银浆料中的银成份，背浆料中的铝成份）历经风干和煅烧后与电池片的欧母特性，其危害电池片的电性能参数如开路电压，短路容量，并联电阻，串连电阻器，转化率等性能指标；浆料的加工工艺特性是做到所述指标值的确保，各浆料制造生产商对于 3 种印刷工艺流程有强烈推荐的加工工艺主要参数如浆料的粒度分布、粘度，固态物含量，金属丝网的筛网目数；前边提及网格图的孔长为浆料粉体设备粒度的 2.5 ～ 5 倍；浆料的黏度危害***条的印刷速率；固态物含量决策印刷后的湿薄厚经风干和煅烧后的后薄厚。背铝及正银三工艺流程的浆料不一样，从而决策她们在金属丝网和印刷主要参数各不相同，表 2 为英国 FERRO 企业的常有有关工艺流程的印刷浆料的特性。