电池片的制作工艺

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PECVD

PE 目的

在硅片表面沉积一层氮化硅减反射膜，以增加入射在硅片上的光的透射，减少反射，氢原子搀杂在氮化硅中附加了氢的钝化作用。

其化学反应可以简单写成 ： SiH 4 NH 3 =SiN:H 3H 2 。

基本 原理

PECVD 技术原理是利用低温等离子体作能量源，样品置于低气压下辉光放电的阴极上，利用辉光放电（或另加发热体）使样品升温到预定的温度，然后通入适量的反应气体，气体经一系列化学反应和等离子体反应，在样品表面形成固态薄膜。 PECVD 方法区别于其它 CVD 方法的特点在于等离子体中含有大量高能量的电子，它们可以提供化学气相沉积过程所需的***能。电子与气相分子的碰撞可以促进气体分子的分解、化合、激发和电离过程，生成活性很高的各种化学基团，因而显著降低 CVD 薄膜沉积的温度范围，使得原来需要在高温下才能进行的 CVD 过程得以在低温下实现。

基本特征

1. 薄膜沉积工艺的低温化（ lt; 450 ℃ ）。

2. 节省能源，回收发电板电话，降低成本。

3. 提高产能。

4. 减少了高温导致的硅片中少子寿命衰减。

扩散方式

PE 设备有两类：平板式和管式。

按反应方式分为：直接式（岛津）和间接式（ Roth ＆ Rau ）。

直接式：基片位于一个电极上，直接接触等离子体。

间接式：基片不接触激发电极。 在微波激发等离子的设备里，等离子产生在反应腔之外，然后由石英管导入反应腔中。在这种设备里微波只激发 NH3 ，而 SiH4 直接进入反应腔。间接 PECVD 的沉积速率比直接的要高很多，这对大规模生产尤其重要。

电池片的制作工艺

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1. 通过测试数据监控生产电池片的效率及暗电流等参数是否正常。

2. 对生产的电池片进行分档，将相同电性能的电池片分在一起以便做成组件。

标准测试条件

1. 光源辐照度： 1000W/m2 。

2. 测试温度： 25℃ 。

3.AM1.5地面太阳光谱辐照度分布。

测试参数

1. 开路电压

在一定的温度和辐照度条件下，太阳电池在空载情况下的端电压，用 V oc 表示， PN 结开路，即 I=0 ，此时 PN 结两端的电压即为开路电压。将I=0 代入伏安特性方程得：

KTln(I L /I S 1)/q 。太阳电池的开路电压与电池面积大小无关。太阳电池的开路电压与入射光谱辐照度的对数成正比。

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对废旧电池的综合利用应当有严苛的程序流程：

（1）置放专用型的废旧电池回收桶；

（2）按时专职人员***服务搜集；

（3）充电电池归类；

（4）仓库归类并安全性存储；

（ 5）集中化到必须总数后运到***的处理站；

（6）解决运用稀缺金属镉。

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