目前晶体硅太阳能电池(包括单晶和多晶)的转化效率都在百分之十五以上,而非晶硅太阳能的转化效率一般不超过百分之十,且存在衰减现象,非晶硅薄膜电池的好处就是消耗的硅料少,成本比晶硅电池低。目前市场上、畅销的认识晶硅太阳能电池。
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多晶硅的品质和规格
多晶硅按外形可分为:块状多晶硅和棒状多晶硅;
等级分为:一、二、三级免洗料。
多晶硅的检测
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抵御平稳——淬火( Class 1k)
硅片在 CZ 炉内高浓的氧气氛里生长发育。 由于绝大多数的氧是可塑性的, 殊不知仍有数的氧会形 成小基团。这种基团会饰演 n-施主的人物角色,就会使硅片的电阻检测有误。要避免这一问 题的产生, 硅片务必加温到 650℃上下。好的光伏系统建立在优质的产品质量上,***人士尚且不能通过外观判断产品的质量,对于缺乏***知识的光伏爱好者和用户来说就更难了。 这一高的溫度会使氧产生大的基团而不容易危害电 阻率。随后对硅片开展激冷,以阻拦小的氧基团的产生。这一全过程能够 合理的清除氧做为 n- 施主的特点,并使真实的电阻趋于稳定。
背封( Class 10k)
针对重掺的硅片而言,会历经一个高溫环节,在硅片反面淀积一层塑料薄膜,能阻拦掺杂剂的向 扩散。这一层就好似密封剂一样避免掺杂剂的肇事逃逸。一般有三种塑料薄膜被用于做为背封原材料: 二氧化硅( SiO2)、氮化硅( Si3N4)、光伏电池。长期现金采购电池片,硅片,多晶硅,单晶硅,硅料,光伏组件,太阳能电池板回收硅是自然界中分布很广的一种元素,在地壳中,它的含量仅次于氧,居第二位。假如金属氧化物或氮化合物用于背封,能够 严苛地认 为是一密封剂,而假如选用光伏电池,除开关键做为密封剂外,还具有了外界吸杂***。 图 1.3 举例子了加热清理、抵御平稳和背封的流程。
工艺实现
为实现利用湿法刻蚀在硅片加工出刻,硅腐蚀。V 形槽条纹这一目标,需要三步工艺:氧化,光图 1 硅单晶晶体结构。
在本文中用( 100)双面抛光硅片来叙述,图 2 中 V 型槽的两个斜面为 (111)晶面,底面为(100)晶面。由晶体结构计算斜面( 111)与地面( 100)夹角 54.736°。当腐蚀的时候,从( 100)硅片上沿着( 110)方向腐蚀时掉需要腐蚀的硅原子,从而暴露出倾角为 54.736°的( 111)面,双面进行就会形成 V 型槽结构。由于硅片的腐蚀存在备向异性,硅 (111)晶面的腐蚀速度远小于 (100)面的。长期现金采购电池片,硅片,多晶硅,单晶硅,硅料,光伏组件,太阳能电池板太阳能电池板,光伏组件,发电板,光伏板。因此,只要选择适当的腐蚀温度和时间,就能得到如图 2 所示的硅片 V 型槽。将硅单晶体按( 100)方向切成所需大小的硅片。
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