硅片生产工艺流程及注意要点

硅片的准备过程从硅单晶棒开始，到清洁的抛光片结束，以能够在绝好的环境中使用。厂家常年***收购电池片，采购硅片，光伏组件，太阳能电池板，多晶硅，单晶硅，硅料硅棒硅锭回收多晶矽薄膜太阳能电池与单晶矽比较,成本低廉，而效率高于非晶矽薄膜电池，其实验转换效率为28%,工业规模生产的转换效率为19%。期间，从一单晶硅棒到加工成数片能满足特殊要求的硅片要经过很多流程和清洗步骤。除了有许多工艺步骤之外，整个过程几乎都要在无尘的环境中进行。硅片的加工从一相对较脏的环境开始，***终在 10 级净空房内完成。

回收利用的一种。指从废物中分离出来的有用物质经过物理或机械加工成为再利用的制品。指从废物中分离出来的有用物质经过物理或机械加工成为再利用的制品。例如废玻璃、废金属、废电池等的回收利用。多指以将再次转手的方式收购二手货光伏电站安装前需要科学的测量和设计，并不是有空闲位置就能安装的。一片小阴影就会大大降低光伏电站发电量，千万不要贪多。

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腐蚀（ Class 100k）

磨片之后，硅片表面还有一定量的均衡损伤，要将这些损伤去除，但尽可能低的引起附加的损伤。比较有特色的就是用化学方法。有两种基本腐蚀方法：碱腐蚀和酸腐蚀。两种方法都被应用于溶解硅片表面的损伤部分。

背损伤（ Class 100k）

在硅片的背面进行机械损伤是为了形成金属吸杂中心。一般情况***成本在5-6年回本，剩余20多年的收益就是纯利润。 当硅片达到一定温度时 ?， 如 Fe, Ni, Cr,Zn 等会降低载流子寿命的金属原子就会在硅体内运动。当这些原子在硅片背面遇到损伤点，它们就会被诱陷并本能地从内部移动到损伤点。背损伤的引入典型的是通过冲击或磨损。举例来说，冲击方法用喷砂法，磨损则用刷子在硅片表面磨擦。其他一些损伤方法还有：淀积一层多晶硅和产生一化学生长层。

硅晶体两种切割工艺比较：

内圆切割：内圆刀片、一片一片切割、刀缝 280 350 m 、品种变换简单方便、灵活，风险低、效率低、原料损耗高、硅片体型变大、加工参数一致性差。

线切割：钢丝切割线、整锭同时切割、线缝型变小、加工参数一致性好、风险高。180 220 m 、效率高、原料损耗小、硅片体

硅单晶内圆切割与多线切割的工艺过程：

内圆切割：准备工作 粘结 定向与校对 上机切割 冲洗与去胶 送清洗 。

多线切割：准备工作 定向 粘结 系统调整 上机切割 冲洗去胶 送清洗 。