国内电池回收相关政策

振鑫焱光伏科技有限责任公司长期购置：天价回收硅片，电池片，初中级多晶硅，银浆布，单晶硅，多晶硅，太阳电池，太阳能组件，太阳能光伏板，顾客撤离，退级，库存量，El，欠佳检测，2手，旧，工程项目，拆装，道路路灯，拆卸发电厂，拆装，人造板，层压板，***限结晶硅，多晶硅，单晶硅，试验板，负债还款，返修，太阳能发电控制模块收购等。

中国锂电池回收有关现行政策

在我国驱动力锂电池回收上坡过晚，锂电池回收现行政策和规范尚不足健全，一部分处在征询建议环节。

2012年7月，国务下发《环保节能与新能源车发展趋势产业发展》中明确提出：①奋力到2015年EV PHEV总计销售量达50万亿元，到2020年总计产供销超500万亿元；②提升动力锂电池梯阶运用和收购管理方法。2014年7月《有关加速新能源车应用推广的实施意见》中强调：制订锂电池回收现行政策、完善锂电池回收管理体系。2015年5月《中国制造业2025》上将“绿色发展理念”做为发展战略指导方针，发展规划中提及：工业生产废弃物回收使用率至2015年规定超过65%，2020年73%，2025年则为79%。

2016年1月《纯电动车动力电池综合利用技术性现行政策》中明确充电电池生产制造实施编号制、创建可回朔管理体系；确立选用经营者义务拓宽规章制度，充电电池制造商担负锂电池回收的关键义务。2016年12月《新能源车动力电池综合利用管理方法暂行规定（征求意见）》中谈及：为有利于充电电池的再次收购，在充电电池设计阶段要遵照易拆装标准，加工过程中务必喷码标识；除此之外管理条例中还涉及充电电池的市场销售、运用、存储及运送中与废旧电池回收的多种多样要求，是现阶段比较详尽的一整套提议。

地方城市政策

地区大城市现行政策

除开國家锂电池回收现行政策之外，当地***会依据当地的新能源车制造行业、锂离子电池动力锂电池发展趋势现况，填补有关的地区性******，下列以大城市北京市、上海市、广州市、深圳市为例。

①2016年1月，北京市举行《小车有形化销售市场行业发展趋势社区论坛》，大会上明确指出：新能源汽车企是驱动力锂电池回收的首位义务行为主体；退伍的动力锂电池可***化运用；必须创新技术性使废旧电池回收使用率超过99%。

②2014年5月，上海发布的《上海激励选购和应用新能源车暂行规定》对于小车生产制造生产商，每收购一整套新能源车动力锂电池，给与1000元补贴。此方法于2016年3月给予再度修定，确立充电电池新能源车生产制造生产商应担负新能源车废弃驱动力锂电池回收的监督责任，具有与市场销售的新能源车总产量经营规模相符合的锂电池回收、运用和处理工作能力。

③2014年11月，广州市下发《广州新能源车应用推广管理方法暂行规定》明确提出：在广州搭建车配驱动力锂电池回收管理体系，有关公司要递交锂电池回收服务承诺表。

④2016年9月，深圳市公布《深圳2016年新能源车应用推广财政局适用现行政策》通告，规定新能源车制造业企业应承担综合利用，对记提了驱动力锂电池回收解决资产的公司，按经财务审计明确的额度50%对公司给与补助，***用以驱动力锂电池回收。

电池片的检验

振鑫焱光伏科技有限公司常年采购：高价回收硅片，电池片，初级多晶硅，银浆布，单晶硅，多晶硅，太阳能电池，光伏组件，太阳能电池板，客户撤退，降级，库存，El，不良测试，二手，旧，工程，拆卸，路灯，拆解电站，拆卸，胶合板，层压板，无边界晶体硅，多晶硅，单晶硅，实验板，***偿还，返工，光伏模块回收等。

背电场：

A 级：

背电场完整，厚薄均匀，允许有缺失，缺失面积不超过背电场总面积的 5% ，变色面积不超过背电场面积的 15% 。

新的标准：背电场完整，厚薄均匀，不允许有缺失

B 级：

允许有缺失，缺失面积不超过背电场总面积的 10% ，变色面积不超过背电场面积的 30% 。

新的标准：允许有缺失，缺失面积不超过背电场总面积的 5% ，变色面积不超过背电场面积的 15% 。

C 级：

允许有缺失，缺失面积不超过背电场总面积的 10% ，变色面积不超过背电场面积的 50% 。

新的标准：缺失面积不超过背电场总面积的 5% ，变色面积不超过背电场面积的 50% 。

粗点：

粗点宽度≤ 0.18mm ，个数小于 2 个

新的标准：不允许有粗点

粗点宽度≤ 0.25mm ，个数小于 5 个

新的标准：允许有粗点，粗点宽度≤ 0.18mm ，个数小于 2 个

粗点宽度≤ 0.3mm ，个数小于 8 个

新的标准：当主栅线或副栅线有明显粗细不均时，应用刻度显微镜进行查检。

电池片的制作工艺

PECVD

PE 目的

在硅片表面沉积一层氮化硅减反射膜，以增加入射在硅片上的光的透射，减少反射，氢原子搀杂在氮化硅中附加了氢的钝化作用。

其化学反应可以简单写成 ： SiH 4 NH 3 =SiN:H 3H 2 。

基本 原理

PECVD 技术原理是利用低温等离子体作能量源，样品置于低气压下辉光放电的阴极上，利用辉光放电（或另加发热体）使样品升温到预定的温度，然后通入适量的反应气体，气体经一系列化学反应和等离子体反应，在样品表面形成固态薄膜。 PECVD 方法区别于其它 CVD 方法的特点在于等离子体中含有大量高能量的电子，它们可以提供化学气相沉积过程所需的***能。电子与气相分子的碰撞可以促进气体分子的分解、化合、激发和电离过程，生成活性很高的各种化学基团，因而显著降低 CVD 薄膜沉积的温度范围，使得原来需要在高温下才能进行的 CVD 过程得以在低温下实现。

基本特征

1. 薄膜沉积工艺的低温化（ lt; 450 ℃ ）。

2. 节省能源，降低成本。

3. 提高产能。

4. 减少了高温导致的硅片中少子寿命衰减。

扩散方式

PE 设备有两类：平板式和管式。

按反应方式分为：直接式（岛津）和间接式（ Roth ＆ Rau ）。

直接式：基片位于一个电极上，直接接触等离子体。

间接式：基片不接触激发电极。 在微波激发等离子的设备里，等离子产生在反应腔之外，然后由石英管导入反应腔中。在这种设备里微波只激发 NH3 ，而 SiH4 直接进入反应腔。间接 PECVD 的沉积速率比直接的要高很多，这对大规模生产尤其重要。