电池片的检验

振鑫焱光伏科技有限公司常年采购：高价回收硅片，电池片，初级多晶硅，银浆布，单晶硅，多晶硅，太阳能电池，光伏组件，太阳能电池板，客户撤退，降级，库存，El，不良测试，二手，旧，工程，拆卸，路灯，拆解电站，拆卸，胶合板，层压板，无边界晶体硅，多晶硅，单晶硅，实验板，***偿还，返工，光伏模块回收等

1、 色差片是怎样产生的？

这与化学气相沉淀时间有关，时间长会发白，时间短会发黄

2、 光面片是怎样产生的？

首先是因为片子本身就是光面片，其次就是在腐蚀中加入 NaOH 量过多

3、 光外形片是怎样产生的？

单测单包（前道丝印也要单独挑出，选择合适的网板印制）

4、 绒面***是怎么来的？

一方面是硅片的表面存在一定的脏污在制绒时没有清洗干净，另一方面是我们的工艺卫生到位，手指印、吸盘印、***没有处理干净

5、 对未烧透的片子怎么处理？

硅片与硅片之间存在一定的厚度，如果在做薄片中间夹着厚片就会烧不透，烧结的温度低了

电池片的制作工艺

振鑫焱光伏科技有限公司常年采购：高价回收硅片，电池片，初级多晶硅，银浆布，单晶硅，多晶硅，太阳能电池，光伏组件，太阳能电池板，客户撤退，降级，库存，El，不良测试，二手，旧，工程，拆卸，路灯，拆解电站，拆卸，胶合板，层压板，无边界晶体硅，多晶硅，单晶硅，实验板，***偿还，返工，光伏模块回收等。

影响因素

1. 温度

温度 T 越高，扩散系数 D 越大，扩散速度越快。

2. 时间

对于恒定源：时间 t 越长结深越深，但表面浓度不变。

对于限定源：时间 t 越长结深越深，表面浓度越小。

3. 浓度

决定浓度是因素：氮气流量、源温。

表面浓度越大，扩散速度越快。

4. 第三组元

主要是掺硼量对扩散的影响，杂质增强扩散机制。在二元合金中加入第三元素时，扩散系数也会发生变化。掺硼量越大，扩散速率越快。即电阻率越小，越容易扩散。

控制点

方块电阻，外观，单片均匀性，整管均匀性。

方块电阻： 表面为正方形的半导体薄层在电流方向所呈现的电阻。 R= 电阻率 *L/S, 对方块硅片，长度等于宽度，则 R= 电阻率 / 厚度，方块电阻～ ( １／ Ns*Xj) Ns ：电化学浓度， Xj ：扩散结深。

1 ．频率

射频 PECVD 系统大都采用 50kHz~13.56 MHz 的工业频段射频电源。较高频率（ gt;4MHz ）沉积的氮化硅薄膜具有更好的钝化效果和稳定性。

2 ．射频功率

增加 RF 功率通常会改善 SiN 膜的质量。但是，功率密度不宜过大，超过 1W/cm2 时器件会造成严重的射频损伤。

3 ．衬底温度

PECVD 膜的沉积温度一般为 250 ～ 400 ℃ 。这样能保证氮化硅薄膜在HF 中有足够低的腐蚀速率，并有较低的本征压力，从而有良好的热稳定性和抗裂能力。低于 200 ℃ 下沉积的氮化硅膜，本征应力很大且为张应力，而温度高于 450 ℃ 时膜容易龟裂。

4 ．气体流量

影响氮化硅膜沉积速率的主要气体是 SiH4 。为了防止富硅膜，选择NH3/SiH4=2~20 （体积比）。气体总流量直接影响沉积的均匀性。为了防止反应区下游反应气体因耗尽而降低沉积速率，通常采用较大的气体总流量，以保证沉积的均匀性。

5 ．反应气体浓度

SiH4 的百分比浓度及 SiH4/NH3 流量比，对沉积速率、氮化硅膜的组分及***性质均有重大影响。

理想 Si3N4 的 Si/N ＝ 0.75 ，而 PECVD 沉积的氮化硅的化学计量比会随工艺不同而变化，但多为富硅膜，可写成 SiN 。因此，必须控制气体中的 SiH4 浓度，不宜过高，并采用较高的 SiN 比。除了 Si 和 N 外， PECVD 的氮化硅一般还包含一定比例的氢原子，即 SixNyHZ 或 SiNx :H 。

6 ．反应压力、和反应室尺寸 等都是影响氮化硅薄膜的性能工艺参数。