KOAN 压控晶振相位噪声的形成因素主要三方面

A.近端相噪主要是晶体 Q 值来决定。高频晶体有很高的近载波相位噪声（Close-inPhase Noise）, 因为他们有低的 Q 值和更宽的边带；

B 中端相噪主要是晶体外围电路(包括 IC)来决定；

C 远端相噪主要是信号输出(白噪声)来决定。

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KOAN 压控晶振的高低电平，脉冲宽度，占空比概述

电源电压 Vdd /-10%，1：Vdd90%min，0：Vdd10%max，阀值电平 Vdd50%，不定电平 Vdd10%-Vdd90%，高电平噪声容限 Vdd90%-Vdd50%，低电平容限Vdd10%-Vdd50%，脉冲宽度上升沿 Vdd50%-下降沿 50%，占空比：脉冲宽度 t与脉冲周期 T 的比值。

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压控振荡器的性能指标介绍

1.中心频率

是指频率调节范围的中间值，即振荡器频率的较大值和较小值的中间值，中心频率的大小取决于振荡器的结构和元器件参数，而且还随着工艺和温度相应改变;随着科学技术的不断发展和产品性能的调高，现如今CMOS压控振荡器的中心频率能够达到10GHz。

2.调谐范围

是指调节输出频率的变化范围，即振荡器的较大调谐频率和较小调谐频率的差值压控振荡器要有足够大的调谐范围才能满足输出频率达到所需要的值。

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