在 T-coil 的宽度应用中，除了上面对设计优化的考虑外，一些 T-coil 自身问题也需要在

设计中关注并解决。

（1） 片上 T-coil 往往占据顶层金属大量面积，AD/DA电磁场，而在顶层电源布线以及非常紧张了，

所以大面积的 T-coil 对顶层设计非常不利；同时，大面积的 T-coil 不仅影响面积

使用率，而且会产生大量功耗。如果不解决大面积 T-coil 问题，想利用 T-coil 设

计多个高速 IO 口的想法将无法实现。

（2） T-coil 也存在可靠性问题。对于 ESD 结构中的 T-coil 也涉及到 ESD 电流路径， Tcoil 自身的串联电阻会引起较低的 ESD 抵抗力，高功耗会*** T-coil（尤其在 Tcoil 的一些突变拐角处，很容易受到 ESD ***）。另外，如果 IO 电路在常规模式

是大电流情况时， T-coil 可能会由于电迁移导致***。为了提升 T-coil 可靠性，

需要设计较宽的金属走线，这又使得 T-coil 面积增加了。

下面几个例子，讨论如何提升 T-coil 可靠性，同时又减小面积：

1.1. Silicon Characterization

PeakView支持Silicon Characterization工作，包括test key建立、去嵌建模以及自动去嵌。silicon data 与 simulation data比对，并提供准确的simulation data，以完成建模；以及temperature effects Characterization

1.2. PeakView















device optimization支持电感建模优化、传输线建模优化、变压器建模优化、MOMcap建模优

在差分电路设计中， 可以将两个 T-coils 与其他差分网络连接。 例如下图中， 利用交叉耦

合对实现的负电容设计网络， 其输出和 2 个负载电容并联。对于这种情况可以按照差分形式

分别接 2 个 T-coils 进行带宽提升。

在时间响应上， 为了避免明显的过程问题， 常常选择 CN=CB/4。

虽然 T-coil 慢慢替代以往 inductive peaking 技术， 来提升电路带宽（比如 IO 接口）。但

理想的 T-coil有自身电路缺陷和应用局限性。本节讨论几种优化方案来改进 T-coil的实用性，

并给出一些电路结构来进一步提升电路带宽（和理想 T-coil 比较）。