按照总辐射效率优化后,Optenni能给出各个损耗因素占比分析图。
●反射损耗
●器件损耗
●耦合损耗
●天线辐射损耗。
●可以选择不同频点,观察选中频点损耗因素占比情况。
●注意:只有导入天线辐射方向图数据,中才能计算天线辐射损耗占比。
按照总辐射效率优化后,Optenni能给出各个损耗因素占比分析图。
●反射损耗
●器件损耗
●耦合损耗
●天线辐射损耗。
●可以选择不同频点,观察选中频点损耗因素占比情况。
●注意:只有导入天线辐射方向图数据,中才能计算天线辐射损耗占比。
软件兼容性
支持与CST Microw***e、ANSYS HFSS、Altair FEKO、Remcom Xfdtd、SEMCAD电磁软件双向对接
支持主流LC元件模型库集成,例如:murata、TDK、***X、coilcraft、TAIYO YUDEN、Johanson等
●支持和NI AWR设计环境对接,能进行电路一键传送
●支持Keysight、Ramp;S、Anritsu等VNA仪表数据同步对接
●支持Qorvo、WiSpry等多个公司可调谐、可切换组件模型导入
频段 1 的情况挑战性更强,天线设计优化,因为它的带宽要宽得多。仔细观察图 5(a) 中的性能图可以发现,对于自由空间配置,5 nH 的孔径组件值将提供阻抗带宽
(240 Mhz),但相应的辐射效率非常低 (30-35%)。另一方面,1 nH 孔径电感器将提供更好的辐射效率 (45-51%),但阻抗带宽更窄 (205
MHz)。预期值在 1nH 和 5nH 之间。类似地,对于手部配置,1nH 到 5nH 之间的所有孔径组件都有足够的可用带宽,并且频段上的辐射效率也落在这些值之间。对于头部配置,阻抗带宽不是瓶颈,孔径电感值接近
5 nH 时可实现。
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