电光调制器的基本原理

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电光调制器的基础是电光效应。在外加调制信号时，介质的折射率在信号电场的作用下由于电光效应而产生变化，当光载波进入调制器后这种变化后将引起光载波的相位、振幅或频率上的变化。根据电光晶体的折射率变化量和外加电场强度的关系，电光效应可分为线性电光效应(泡克耳斯效应)和二次电光效应(克尔效应)。因为线性电光效应比二次电光效应的作用效果明显，因此实际中多用线性电光调制器对光波进行调制。线性电光调制器可分为纵向的和横向的。在纵向的调制器中，电场平行于光的传播方向，而横向调制器的电场则垂直于光传播的方向。

电光调制器

电光调制器作为光纤链路里必不可少的器件，其性能的优略严重影响着系统信号的发射和接收。目前市场上使用普遍的主要是电光调制器EOM和电吸收调制器EAM。电光调制器，特点：插入损耗小、消光比高，调制深度和带宽大。

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调制器类型介绍

铌酸锂调制器利用铌酸锂晶体的电光效应并结合光电子集成工艺制作而成，因其具有高响应速度，低插入损耗以及低半波电压倍广泛应用在光纤通信，微波光子，光纤传感等领域。今天我们介绍一下铌酸锂晶体的电光效应及应用。

铌酸锂晶体为负单轴晶体(nogt;ne)，属于三角晶系，具有3m点群对称操作。图1描述了其晶胞结构及物理坐标系的选取。

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