什么是电光调制器

电光调制器是利用某些电光晶体，如铌酸锂晶体(LiNb03)、稼晶体(GaAs)和钽酸锂晶体(LiTa03)的电光效应制成的调制器。电光效应即当把电压加到电光晶体上时，电光晶体的折射率将发生变化，结果引起通过该晶体的光波特性的变化，实现对光信号的相位、幅度、强度以及偏振状态的调制。电光调制器的基础是电光效应。根据电光晶体的折射率变化量和外加电场强度的关系，电光效应可分为线性电光效应(泡克耳斯效应)和二次电光效应(克尔效应)。电光调制器电光调制器是利用某些晶体材料在外加电场的作用下所产生的电光效应而制成的器件。因为线性电光效应比二次电光效应的作用效果明显，因此实际中多用线性电光调制器对光波进行调制。线性电光调制器可分为纵向的和横向的。在纵向的调制器中，电场平行于光的传播方向，而横向调制器的电场则垂直于光传播的方向

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电光调制器有很多用途

相位调制器可用于相干光纤通信系统，在密集波分复用光纤系统中用于产生多光频的梳形发生器，也能用作激光束的电光移频器。

电光调制器有良好的特性，可用于光纤有线电视（CATV）系统、无线通信系统中继站与中继站之间的光链路和其他的光纤模拟系统。

电光调制器除了用于上述的系统中用于产生高重复频率、极窄的光脉冲或光孤子（Soliton），在***雷达的欺骗系统中用作为光子宽带微波移相器和移频器，在微波相控阵雷达中用作光子时间延迟器，用于光波元件分析仪，测量微弱的微波电场等。

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电光调制器的设计与选择

调制晶体对电光调制的效果影响显著，在选择晶体时应注意以下几点：光学性能好，折射率均匀，吸收色散损耗小，透明度高，电光系数大，物理性能优越等等。目前较常用的晶体材料包括铌酸锂和KDP类晶体，由于KDP类晶体的物理性能不佳，容易发生潮解，因此其调制性能往往受到环境限制，而铌酸锂晶体则具有优越的透光性和物理性能，是电光调制晶体设计的理想材料。5Gb/s的铌酸锂调制器的半波电压(Vp)较高，故都需要用驱动器来推动调制器。

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电光调制器分类

（1）偏振无关相位调制器

KG-IDPM 系列 LiNbO3偏振无关相位调制器采用***的钛扩散工艺，可以同时实现对两个偏振态的调制，同时具有低插入损耗、低半波电压、高损伤光功率等特点，主要用于高速光通信系统中光啁啾控制，量子保密通信系统以及光纤传感等领域。

2）偏振相关相位调制器

KG-PM 系列铌酸锂电光相位调制器采用***的质子交换工艺，具有低插入损耗、高调制带宽、低半波电压等特点，主要用于空间光通信系统、相干合成、光谱展宽、干涉测量等领域。

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