电光调制器的设计与选择

调制晶体对电光调制的效果影响显著，在选择晶体时应注意以下几点：光学性能好，折射率均匀，吸收色散损耗小，透明度高，电光系数大，物理性能优越等等。电光调制器的应用在电通信系统中,原始率数字信号电平的峰-峰值只有0。目前较常用的晶体材料包括铌酸锂和KDP类晶体，由于KDP类晶体的物理性能不佳，容易发生潮解，因此其调制性能往往受到环境限制，而铌酸锂晶体则具有优越的透光性和物理性能，是电光调制晶体设计的理想材料。

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调制器类型介绍

铌酸锂调制器利用铌酸锂晶体的电光效应并结合光电子集成工艺制作而成，因其具有高响应速度，低插入损耗以及低半波电压倍广泛应用在光纤通信，微波光子，光纤传感等领域。今天我们介绍一下铌酸锂晶体的电光效应及应用。

铌酸锂晶体为负单轴晶体(nogt;ne)，属于三角晶系，具有3m点群对称操作。图1描述了其晶胞结构及物理坐标系的选取。

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电光调制器的应用

在电通信系统中,原始率数字信号电平的峰-峰值只有0.8V。因为数据率大于2.5Gb/s的铌酸锂调制器的半波电压(Vp)较高，故都需要用驱动器来推动调制器。2、电光调制器输出特性与外加电压的关系式非线性的，加入电光调制器工作于非线性部分，那么调制光将发生畸变，只有确保高次谐波幅值在允许范围内，才能避免畸变。驱动器不仅要有很宽的工作频带，并且要能提供足够大的微波输出功率。例如：对于10Gb/s、Vp=5.5V的调制器，需要驱动器具有75KHz 到8GHz的工作频带及20dBm(100mW)的1dB输出功率。制作率的驱动器是非常困难的，因此制作具有低Vp的调制器是很受欢迎的。