电光调制器的原理

电光调制器的基础是电光效应。根据电光晶体的折射率变化量和外加电场强度的关系，电光效应可分为线性电光效应(泡克耳斯效应)和二次电光效应(克尔效应)。光调制器按照其调制原理来讲，可分为电光、热光、声光、全光等，它们所依据的基本理论是各种不同形式的电光效应、声光效应、磁光效应、Franz-Keldysh效应、量子阱Stark效应、载流子色散效应等。因为线性电光效应比二次电光效应的作用效果明显，因此实际中多用线性电光调制器对光波进行调制。线性电光调制器可分为纵向的和横向的。在纵向的调制器中，电场平行于光的传播方向，而横向调制器的电场则垂直于光传播的方向。

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电光调制器选择需要注意什么？

1、串联方式的选择对功率损耗量影响较大，通常采用n级晶体串联的方式来降低，此外，为了使n级晶体电光效应逐步提高，应将晶体的x轴与y轴方向旋转90°进行安置，同时，不应串联过多快晶体，避免电容过大。

2、电光调制器输出特性与外加电压的关系式非线性的，加入电光调制器工作于非线性部分，那么调制光将发生畸变，只有确保高次谐波幅值在允许范围内，才能避免畸变。如果您想要了解更多电光调制器的知识，欢迎拨打图片上的***联系我们。实际设计中，秩序带入电光调制器半波电压以及调制率的范围，就可验证调制电压峰-峰值是否符合设计要求。

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电光调制器系列

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850nm电光强度调制器KG-AM系列850nm铌酸锂电光强度调制器采用***的质子交换工艺，具有低插入损耗、高调制带宽、低半波电压等特点，主要用于空间光通信系统、铯原子时间基准、脉冲发生器、量子光学等领域。

1064nm双M-Z串联强度调制器

LiNbO3强度调制器具有良好的电光效应，广泛应用于高速光通信系统、激光传感和ROF系统中。基于MZ推拉结构和X切设计的KG-AM系列具有稳定的理化性能，可应用于实验室实验和工业系统。

高消光比电光强度调制器

KG-AM-HER系列高消光比电光强度调制器基于M-Z推挽结构，具有较低的半波电压和稳定的物理化学特性，采用特定工艺保证了器件具有高的DC消光比，且器件具有较高的响应速率，因而被广泛的应用于光脉冲发生器、激光雷达、光纤传感等领域。