电光调制器系列

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850nm电光强度调制器KG-AM系列850nm铌酸锂电光强度调制器采用***的质子交换工艺，具有低插入损耗、高调制带宽、低半波电压等特点，高稳定电光调制器，主要用于空间光通信系统、铯原子时间基准、脉冲发生器、量子光学等领域。

1064nm双M-Z串联强度调制器

LiNbO3强度调制器具有良好的电光效应，广泛应用于高速光通信系统、激光传感和ROF系统中。基于MZ推拉结构和X切设计的KG-AM系列具有稳定的理化性能，可应用于实验室实验和工业系统。

高消光比电光强度调制器

KG-AM-HER系列高消光比电光强度调制器基于M-Z推挽结构，具有较低的半波电压和稳定的物理化学特性，采用特定工艺保证了器件具有高的DC消光比，且器件具有较高的响应速率，因而被广泛的应用于光脉冲发生器、激光雷达、光纤传感等领域。

电光调制器的设计与选择

调制晶体对电光调制的效果影响显著，高稳定电光调制器哪家好，在选择晶体时应注意以下几点：光学性能好，折射率均匀，吸收色散损耗小，透明度高，电光系数大，物理性能优越等等。目前较常用的晶体材料包括铌酸锂和KDP类晶体，由于KDP类晶体的物理性能不佳，容易发生潮解，因此其调制性能往往受到环境限制，高稳定电光调制器报价，而铌酸锂晶体则具有优越的透光性和物理性能，是电光调制晶体设计的理想材料。

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电光调制器的基本原理

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电光调制器的基础是电光效应。根据电光晶体的折射率变化量和外加电场强度的关系，电光效应可分为线性电光效应(泡克耳斯效应)和二次电光效应(克尔效应)。因为线性电光效应比二次电光效应的作用效果明显，因此实际中多用线性电光调制器对光波进行调制。线性电光调制器可分为纵向的和横向的。在纵向的调制器中，电场平行于光的传播方向，而横向调制器的电场则垂直于光传播的方向。

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