光电探测器

光电探测器，从其字面意思来解读，相信大家都能猜到，这种探测器能够将光信号转化为电信号。光电探测器的分类有好多种，根据器件工作原理的不同或者根据器件对辐射响应方式的不同，光电探测器一般分为两大类，一种是热探测器，还有一种是光子探测器。

光电探测器是指利用辐射引起被照射材料电导率改变的物理现象的原理而制成的器件，其在军事和国民经济的各个领域有广泛用途。

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各种光电探测器的性能比较：

在动态特性(即频率响应与时间响应)方面，以光电倍增管和光电二极管(尤其是PIN管与雪崩管)为; 在光电特性(即线性)方面，以光电倍增管、光电二极管和光电池为; 在灵敏度方面，以光电倍增管、雪崩光电二极管、光敏电阻和光电三极管为。 此外，灵敏度高不一定就是输出电流大，200mhz光电探测器厂家，而输出电流大的器件有大面积光电池、光敏电阻、雪崩光电二极管和光电三极管;外加偏置电压***低的是光电二极管、光电三极管，光电池不需外加偏置;

光电探测器的发展历史

60年代初，中远红外波段灵敏的Ge、Si掺杂光电导探测器研制成功，典型的例子是工作在3～5微米和8～14微米波段的Ge：Au(锗掺金)和Ge：Hg光电导探测器。60年代末以后，HgCdTe、PbSnTe等可变禁带宽度的三元系材料的研究取得进展。工作原理和特性光电导效应是内光电效应的一种。

当照射的光子能量hv等于或大于半导体的禁带宽度Eg时，200mhz光电探测器价格，光子能够将价带中的电子激发到导带，200mhz光电探测器多少钱，从而产生导电的电子、空穴对，这就是本征光电导效应。这里h是普朗克常数，v是光子频率，Eg是材料的禁带宽度(单位为电子伏)。因此，本征光电导体的响应长波限λc为λc=hc/Eg=1。24/Eg(μm)式中c为光速。本征光电导材料的长波限受禁带宽度的限制。

在60年代初以前还没有研制出适用的窄禁带宽度的半导体材料，因而人们利用非本征光电导效应。Ge、Si等材料的禁带中存在各种深度的杂质能级，照射的光子能量只要等于或大于杂质能级的离化能，就能够产生光生自由电子或自由空穴。非本征光电导体的响应长波限λ由下式求得λc=1。24/Ei式中Ei代表杂质能级的离化能。

到60年代中后期，200mhz光电探测器，Hg1-xCdxTe、PbxSn1-xTe、PbxSn1-xSe等三元系半导体材料研制成功，并进入实用阶段。它们的禁带宽度随组分x值而改变，例如x=0。2的HG0。8Cd0。2Te材料，可以制成响应波长为8～14微米大气窗口的红外探测器。

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