光电探测器是指一类当有辐射照射在表面时，性质会发生各种变化的材料。光电探测器能把辐射信号转换为电信号。辐射信号所携带的信息有：光强分布、温度分布、光谱能量分布、辐射通量等，其进过电子线路处理后可供分析、记录、储存和显示，从而进行探测。

由于器件对辐射响应的方式不一样，石墨烯光电探测器生产厂家，以此可将光电探测器分为两大类，石墨烯光电探测器报价，分别是光子探测器和热探测器。

光电探测器

光电探测器就是把光信号转为电信号的一种器件，在可见光或近红外波段主要用于射线测量和探测、工业自动控制、光度计量等;在红外波段主要用于红外热成像、红外遥感等方面。光电探测器的特点　　

1、光敏电阻

　　特点：①价格低，体积小，质量轻，机械强度高，抗过载能力强，寿命长;

　　②灵敏度高，光谱响应范围宽;工作电流大;

　　③易饱和，受温度影响大，频率特性差。

　　应用：光控开关，紫外、红外、可见光探测器。

2、光电三极管

　　特点：①光电流和灵敏度比光电二极管高;

　　②线性度差，易饱和;

　　③频率特性和温度特性差。

　　应用：光电控制，光电开关，石墨烯光电探测器，光电逻辑元件，不适合做光电探测。

光电探测器的几种类型

1、光发射－Schottky势垒探测器：

金属和半导体接触，典型的有PtSi/Si结构，形成Schottky势垒，红外光子透过Si层为PtSi吸收，电子获得能量跃上Fermi能级，留下空穴越过势垒进入Si衬底，PtSi层的电子被收集，完成红外探测。充分利用Si集成技术，便于制作，具有成本低、均匀性好等优势，可做成大规模1024×1024甚至更大、焦平面阵列来弥补量子效率低的缺陷。有严格的低温要求。用这类探测器，国内外已生产出具有像质良好的热像仪。PtSi/Si结构FPA是较早制成的IRFPA。

2、量子阱探测器QWIP：

将两种半导体材料A和B用人工方法薄层交替生长形成超晶格，在其界面，能带有突变。电子和空穴被限制在低势能阱A层内，能量量子化，称为量子阱。利用量子阱中能级电子跃迁原理可以做红外探测器。90年代以来发展很快，已有512×512、640×480规模的QWIPGaAs/AlGaAs焦平面制成相应的热像仪诞生。因为入射辐射中只有垂直于超晶格生长面的电极化矢量起作用，光子利用率低；量子阱中基态电子浓度受掺杂限制，石墨烯光电探测器价格，量子效率不高；响应光谱区窄；低温要求苛刻。人们正深入研究努力加以改进，可望与碲镉探测器一争高低。

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