光电探测器的主要特性介绍

1．光电特性: I(t)[光电流]＝F(P)[光通量]；

2．光谱特性: I(t)[光电流]＝F(λ)[入射光波长]；

3．频率特性: I(t)[光电流]＝F(f)[入射光调制频率]；

4．伏安特性: I(t)[光电流]＝F(U)[电压]；

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光电探测器

光电探测器由于体积小，重量轻，响应速度快，灵敏度高，易于与其它半导体器件集成，是光源的理想探测器，可广泛用于光通信、信号处理、传感系统和测量系统。 　　

现代性能较高的光通信、信号处理和测量系统，需要光电探测器必须具有高的响应速度和高的灵敏度。对于高带宽的光信号探测，需要光电探测器的典型结构是薄的光吸收区。 　　

光电探测器的原理是由辐射引起被照射材料电导率发生改变。光电探测器在军事和国民经济的各个领域有广泛用途。在可见光或近红外波段主要用于射线测量和探测、工业自动控制、光度计量等；在红外波段主要用于红外热成像、红外遥感等方面。

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光电探测器的应用

photoconductivedetector利用半导体材料的光电导效应制成的一种光探测器件。所谓光电导效应，是指由辐射引起被照射材料电导率改变的一种物理现象。光电导探测器在军事和国民经济的各个领域有广泛用途。在可见光或近红外波段主要用于射线测量和探测、工业自动控制、光度计量等;在红外波段主要用于红外热成像、红外遥感等方面。光电导体的另一应用是用它做摄像管靶面。为了避免光生载流子扩散引起图像模糊，连续薄膜靶面都用高阻多晶材料，如PbS-PbO、Sb2S3等。其他材料可采取镶嵌靶面的方法，整个靶面由约10万个单独探测器组成。

1873年，英国W。发现硒的光电导效应，但是这种效应长期处于探索研究阶段，未获实际应用。第二次***以后，随着半导体的发展，各种新的光电导材料不断出现。在可见光波段方面，到50年代中期，性能良好的硒化镉光敏电阻和红外波段的硫化铅光电探测器都已投入使用。

60年代初，中远红外波段灵敏的Ge、Si掺杂光电导探测器研制成功，典型的例子是工作在3～5微米和8～14微米波段的Ge：Au(锗掺金)和Ge：Hg光电导探测器。60年代末以后，HgCdTe、PbSnTe等可变禁带宽度的三元系材料的研究取得进展。工作原理和特性光电导效应是内光电效应的一种。