光电探测器的应用选择

实际上是应用时的一些事项或要点。在很多要求不太严格的应用中，可采用任何一种光电探测器件。不过在某些情况下，器件的选择极大程度上决定了效果的好坏。光电探测器的性能比较　　

①光电探测器动态特性(即频率响应与时间响应)方面，以光电倍增管和光电二极管(尤其是PIN管与雪崩管)为较好;

②光电探测器光电特性(即线性)方面，光电探测器报价，以光电倍增管、光电二极管和光电池为较好;

③光电探测器灵敏度方面，以光电倍增管、雪崩光电二极管、光敏电阻和光电三极管为较好。值得指出的是，灵敏度高不一定就是输出电流大，而输出电流大的器件有大面积光电池、光敏电阻、雪崩光电二极管和光电三极管；

④光电探测器外加偏置电压较低的是光电二极管、光电三极管，光电池不需外加偏置;

⑤光电探测器暗电流方面，光电倍增管和光电二极管较小，光电池不加偏置时无暗电流，加反向偏置后暗电流也比光电倍增管和光电二极管大;

⑥光电探测器长期工作的稳定性方面，以光电二极管、光电池为较好，其次是光电倍增管与光电三极管;

⑦光电探测器光谱响应方面，以光电倍增管和CdSe光敏电阻为较宽，但光电倍增管响应偏紫外方向，而光敏电阻响应偏红外方向。

例如，当需要比较大的光敏面积时，可选用真空光电管，因其光谱响应范围比较宽，故真空光电管普遍应用于分光光度计中。当被测辐射信号微弱、要求响应速度较高时，采用光电倍增管较合适，因为其放大倍数可达10^7以上，这样高的增益可使其信号超过输出和放大线路内的噪声分量，使得对光电探测器的限制只剩下光阴极电流中的统计变化。因此，低噪声光电探测器报价，在天文学、光谱学、激光测距和闪烁计数等方面，超快ingaas pin光电探测器报价，光电倍增管得到广泛应用。

光电探测器主要应用：　　

单光子探测技术。通过记录逐个单光子产生的脉冲数目来检测及其微弱的光信号。

正电子发射扫描仪。光电倍增管与闪烁体组合七射线，确定患者体内碎灭电子的位置，而得到CT像。

光电导探测：利用了光电导效应，即由辐射引起被照射材料电导率改变的一种物理现象（是内光电效应的一种）。

光伏探测器：利用半导体PN结光伏效应制成的器件。

pn结中电子向P区，空穴向n区扩散，使p区带负电，n区带正电，形成由不能移动离子组成的空间电荷区（耗尽区），同时出现由耗尽层引起的内建电场，使少子漂移，并阻止电子和空穴继续扩散，达到平衡。在热平衡下，由于pn结中漂移电流等于扩散电流，净电流为零。

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为了提高传输效率并且无畸变地变换光电信号，就要使相互连接的各器件都处于较佳的工作状态，所以光电探测器要与被测信号、光学系统以及后续的电子线路在特性和工作参数上相匹配。

探测率D

探测率D定义为NEP的倒数，这样D越大表明探测器的灵敏度越高。它表示单位入射辐射功率所产生的信噪比，当然，D值越大，表示器件的探测性能越好。 任何探测器都有噪声，比噪声起伏平均值更小的信号实际上检测不出来。产生如噪声那样大的信号所需的辐射功率，称为探测器能探测的较小辐射功率，或称等效噪声功率。有时用探测率描述探测器的灵敏度。

除此之外，还有一些重要的指标，如反映探测器噪声电平的暗电流Id，探测器的接收截面Ad（会影响灵敏度和时间响应），探测器随温度的变化特性，半导体光电探测器的结电容（决定了时间响应），以及较大反偏电压、光照功率允许范围等，在使用时都必须注意的。

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