光电探测器的概述??

光电探测器在光通信系统中实现将光转变成电的作用，这主要是基于半导体材料的光生伏应，所谓的光生伏应是指光照使不均匀半导体或半导体与金属结合的不同部位之间产生电位差的现象。(光电导效应是指在光线作用下，电子吸收光子能量从键合状态过度到自由状态，而引起材料电导率的变化的象。即当光照射到光电导体上时，若这个光电导体为本征半导体材料，且光辐射能量又足够强，光电材料价带上的电子将被激发到导带上去，使光导体的电导率变大是指由辐射引起被照射材料电导率改变的一种物理现象，光子作用于光电导材料，形成本征吸收或杂质吸收，产生附加的光生载流子，从而使半导体的电导率发生变化，产生光电导效应。

光电探测器技术

可见光探测

可见光CCD 和CMOS 成像器由于其体积小、重量轻、功耗低、寿命长、可靠和耐冲击等诸多特点，现在已广泛用于军事遥感、侦察、飞机导航、和的制导等现代军事装备中。民用也极其广泛，如保安、监控、可视门铃、视频电子邮件、可视电话、视频会议、数码相机以及***和生物科学实验记录等都在使用CCD 和CMOS 成像器。

现代可见光成像器已是数字化的，可以保存在软盘、硬盘和光盘中，再用计算机阅读、显示和打印出来。这种图像还可以修补、剪贴和远距离传输，这也是现代通讯的主要内容之一。

***的图像传感器的基本指标是清晰度（光敏元数）、灵敏度（量子效率）、动态范围（满阱电荷数）、信噪比（暗电流等噪声源）等，并与实用中常碰到的光学孔径、拖影、光晕、闪烁、图像滞后等图像性质有关，因此现代的***技术都是在为进一步提高这些基本指标和改善上述的图像性质而努力。

光电探测器

有些情况下，不仅需要很高的响应度，还需要很高的量子效率，否则会引入额外的量子噪声。这可以用来探测光的压缩态，也会影响单光子探测器的光子探测概率。 当探测激光二极管中发出的强发散光束时，需要考虑探测器的有源区大小。如果光源具有很大并且变化的光束发散角，很难在有源区全部探测到这些光。这时可以采用一个积分球来测量总功率。