光电探测器相关信息

红外波段的光电导探测器 PbS、Hg1-xCdxTe 的常用响应波段在 1～3微米、3～5微米、8～14微米三个大气透过窗口。由于它们的禁带宽度很窄，因此在室温下，热激发足以使导带中有大量的自由载流子，这就大大降低了对辐射的灵敏度。响应波长越长的光，apd光电探测器厂家，电导体这种情况越显著，其中1～3微米波段的探测器可以在室温工作（灵敏度略有下降）。3～5微米波段的探测器分三种情况：在室温下工作，但灵敏度大大下降，探测度一般只有1～7×108厘米·瓦-1·赫；热电致冷温度下工作(约-60℃)，探测度约为109厘米·瓦-1·赫；77K或更低温度下工作，探测度可达1010厘米·瓦-1·赫以上。8～14微米波段的探测器必须在低温下工作，因此光电导体要保持在真空杜瓦瓶中，冷却方式有灌注液氮和用微型制冷器两种。

光电探测器的概述??

光电探测器在光通信系统中实现将光转变成电的作用，这主要是基于半导体材料的光生伏应，所谓的光生伏应是指光照使不均匀半导体或半导体与金属结合的不同部位之间产生电位差的现象。(光电导效应是指在光线作用下，电子吸收光子能量从键合状态过度到自由状态，而引起材料电导率的变化的象。即当光照射到光电导体上时，若这个光电导体为本征半导体材料，且光辐射能量又足够强，光电材料价带上的电子将被激发到导带上去，使光导体的电导率变大是指由辐射引起被照射材料电导率改变的一种物理现象，光子作用于光电导材料，形成本征吸收或杂质吸收，产生附加的光生载流子，从而使半导体的电导率发生变化，产生光电导效应。)

光电探测器光电导类型

光电导类型包括使用本征半导体的本征光电导电池和使用杂质半导体的杂质光电导电池。本征光电导电池包括用于可见光区域的CdS电池，apd光电探测器多少钱，用于近红外区域的PbS和InSb电池以及用于中红外区域的HgCdTe电池。作为杂质光电导电池，光电探测器，在红外区域中广泛使用以Ge为基础并添加诸如Au，Hg，Cu，Zn和Be的杂质的电池。由于它们的电离电压为0.16至0.02 eV，因此必须进行冷却以避免热激发。

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