感应耦合等离子体刻蚀机的结构二

创世威纳——***感应耦合等离子体刻蚀供应商，我们为您带来以下信息。

刻蚀腔体刻蚀腔体是ICP 刻蚀设备的核心结构，它对刻蚀速率、刻蚀的垂直度以及粗糙度都有直接的影响。刻蚀腔的主要组成有：上电极、ICP 射频单元、RF 射频单元、下电极系统、控温系统等组成。

以上就是关于感应耦合等离子体刻蚀的相关内容介绍，如有需求，欢迎拨打图片上的***电话！

感应耦合等离子体刻蚀机的结构三

创世威纳***生产、销售感应耦合等离子体刻蚀，我们为您分析该产品的以下信息。

供气系统供气系统是向刻蚀腔体输送各种刻蚀气体，通过压力控制器（PC）和质量流量控制器（MFC）精准的控制气体的流速和流量。气体供应系统由气源瓶、气体输送管道、控制系统、混合单元等组成。

感应耦合等离子体刻蚀机的结构四

真空系统真空系统有两套，分别用于预真空室和刻蚀腔体。预真空室由机械泵单独抽真空，只有在预真空室真空度达到设定值时，才能打开隔离门，进行传送片。刻蚀腔体的真空由机械泵和分子泵共同提供，刻蚀腔体反应生成的气体也由真空系统排空。

想了解更多关于感应耦合等离子体刻蚀的相关资讯，请持续关注本公司。

感应耦合等离子体刻蚀机的原理

感应耦合等离子体刻蚀法（Inductively Coupled Pla***a Etch，简称ICPE）是化学过程和物理过程共同作用的结果。它的基本原理是在真空低气压下，ICP 射频电源产生的射频输出到环形耦合线圈，以一定比例的混合刻蚀气体经耦合辉光放电，产生高密度的等离子体，在下电极的RF 射频作用下，这些等离子体对基片表面进行轰击，基片图形区域的半导体材料的化学键被打断，与刻蚀气体生成挥发性物质，以气体形式脱离基片，从真空管路被抽走。

如果需要进行刻蚀，和蚀刻后，除污，清除浮渣，表面处理，等离子体聚合，等离子体灰化，或任何其他的蚀刻应用，我们能够制造客户完全信任的等离子处理系统，以满足客户的需要。我们既有常规的等离子体蚀刻系统，也有反应性离子蚀刻系统，我们可以制造系列的产品，也可以为客户定制特殊的系统。我们可以提供快速/高品质的蚀刻，减轻等离子伤害，并提供的均匀性。

等离子体处理可应用于所有的基材，甚至复杂的几何构形都可以进行等离子体活化、等离子体清洗，等离子体镀膜也毫无问题。等离子体处理时的热负荷及机械负荷都很低，因此，低压等离子体也能处理敏***材料。

想要了解更多创世威纳的相关信息，欢迎拨打图片上的***电话！