河北感应耦合等离子体刻蚀机-创世威纳科技
作者:创世威纳2020/10/2 2:29:52






感应耦合等离子体刻蚀机的原理

感应耦合等离子体刻蚀法(Inductively Coupled Pla***a Etch,简称ICPE)是化学过程和物理过程共同作用的结果。它的基本原理是在真空低气压下,ICP 射频电源产生的射频输出到环形耦合线圈,以一定比例的混合刻蚀气体经耦合辉光放电,产生高密度的等离子体,在下电极的RF 射频作用下,这些等离子体对基片表面进行轰击,基片图形区域的半导体材料的化学键被打断,与刻蚀气体生成挥发性物质,以气体形式脱离基片,从真空管路被抽走。

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等离子体处理可应用于所有的基材,甚至复杂的几何构形都可以进行等离子体活化、等离子体清洗,等离子体镀膜也毫无问题。等离子体处理时的热负荷及机械负荷都很低,因此,低压等离子体也能处理敏***材料。

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感应耦合等离子体刻蚀的原理

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感应耦合等离子体刻蚀机的结构一

预真空室预真空室的作用是确保刻蚀腔内维持在设定的真空度,不受外界环境(如:粉尘、水汽)的影响,将***性气体与洁净厂房隔离开来。它由盖板、机械手、传动机构、隔离门等组成。

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