磁控溅射中靶zhong毒是怎么回事，一般的影响因素是什么？

靶zhong毒的影响因素

影响靶zhong毒的因素主要是反应气体和溅射气体的比例，磁控溅射镀膜机供应商，反应气体过量就会导致靶zhong毒。反应溅射工艺进行过程中靶表面溅射沟道区域内出现被反应生成物覆盖或反应生成物被剥离而重新暴露金属表面此消彼长的过程。如果化合物的生成速率大于化合物被剥离的速率，化合物覆盖面积增加。在一定功率的情况下，参与化合物生成的反应气体量增加，化合物生成率增加。如果反应气体量增加过度，化合物覆盖面积增加，如果不能及时调整反应气体流量，化合物覆盖面积增加的速率得不到***，溅射沟道将进一步被化合物覆盖，当溅射靶被化合物全部覆盖的时候，靶完全zhong毒。

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磁控溅射

（1）各种功能性薄膜：如具有吸收、透射、反射、折射、偏光等作用的薄膜。例如，低温沉积氮化硅减反射膜，以提高太阳能电池的光电转换效率。

（2）装饰领域的应用，如各种全反射膜及半透明膜等，如手机外壳，鼠标等。

（3） 在微电子领域作为一种非热式镀膜技术，主要应用在化学气相沉积（CVD）或金属有机

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直流溅射法

溅射过程中涉及到复杂的散射过程和多种能量传递过程：入射粒子与靶材原子发生弹性碰撞，磁控溅射镀膜机，入射粒子的一部分动能会传给靶材原子；某些靶材原子的动能超过由其周围存在的其它原子所形成的势垒（对于金属是5-10 eV），从而从晶格点阵中被碰撞出来，磁控溅射镀膜机原理，产生离位原子；这些离位原子进一步和附近的原子依次反复碰撞，产生碰撞级联；当这种碰撞级联到达靶材表面时，如果靠近靶材表面的原子的动能大于表面结合能（对于金属是1-6eV），这些原子就会从靶材表面脱离从而进入真空。

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