磁控溅射镀膜设备技术的特点

(1)钢件形变小因为钢件表层匀称遮盖辉光，溫度完整性好，能够根据操纵输出功率輸出来保持匀称提温。另一个阴极无心插柳相抵了渗人原素造成的规格扩一整

(2)渗层的机构和构造易于控制根据调节加工工艺主要参数，可获得单相电或多相的渗层机构

(3)钢件不必额外清除阴极无心插柳能够合理除去空气氧化膜，清洁钢件表层，一起真空泵解决无新生儿空气氧化膜，这种都降低了额外机器设备和综合工时，减少了成本费。

(4)防水层便捷不需渗的地区可简易地遮掩起來，对自然环境绿色食品，零污染，大样片磁控溅射镀膜机品牌，劳动者标准好。

(5)经济收益高，耗能小尽管原始机器设备项目***很大，但加工工艺成本费极低，是这种便宜的工程设计方式 。除此之外，离子轰击渗扩技术性易保持加工工艺全过程或渗层品质的运动控制系统，品质可重复性好，可执行性强。

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磁控溅射镀膜机工艺

（1）技术方案 磁控溅射镀光学膜，有以下三种技术路线： （a）陶瓷靶溅射：靶材采用金属化合物靶材，可以直接沉积各种氧化物或者氮化物，有时候为了得到更高的膜层纯度，也需要通入一定量反应气体）； （b）反应溅射：靶材采用金属或非金属靶，通入稀有和反应气体的混合气体，进行溅射沉积各种化合物膜层。 （c）离子辅助沉积：先沉积一层很薄的金属或非金属层，然后再引入反应气体离子源，将膜层进行氧化或者氮化等。 采用以上三种技术方案，在溅射沉积光学膜时，都会存在靶zhong毒现象，从而导致膜层沉积速度非常慢，对于上节介绍各种光学膜来说，膜层厚度较厚，膜层总厚度可达数百纳米。这种沉积速度显然增加了镀膜成本，从而限制了磁控溅射镀膜在光学上的应用。

（2）新型反应溅射技术 笔者对现有反应溅射技术方案进行了改进，开发出新的反应溅射技术，解决了镀膜沉积速度问题，同时膜层的纯度达到光学级别要求。表2.1是采用新型反应溅射沉积技术，膜层沉积速度对比情况。

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镀膜设备原理及工艺

主要溅射方式：

反应溅射是在溅射的惰性气体气氛中，大样片磁控溅射镀膜机工作原理，通入一定比例的反应气体，通常用作反应气体的主要是氧气和氮气。

直流溅射(DC Magnetron1 Sputtering)、射频溅射(RF Magnetron1 Sputtering)、脉冲溅射(PulsedMagnetro n1 Sp uttering)和中频溅射(Medium Fre2quency Magnetro2 n Sp uttering)

直流溅射方法用于被溅射材料为导电材料的溅射和反应溅射镀膜中，其工艺设备简单，有较高的溅射速率。

中频交流磁控溅射在单个阴极靶系统中，大样片磁控溅射镀膜机原理，与脉冲磁控溅射有同样的释放电荷、防止打弧作用。中频交流溅射技术还应用于孪生靶(Twin2Mag)溅射系统中，中频交流孪生靶溅射是将中频交流电源的两个输出端，分别接到闭合磁场非平衡溅射双靶的各自阴极上，因而在双靶上分别获得相位相反的交流电压，一对磁控溅射靶则交替成为阴极和阳极。孪生靶溅射技术大大提高磁控溅射运行的稳定性，可避免被毒化的靶面产生电荷积累，引起靶面电弧打火以及阳极消失的问题，溅射速率高，为化合物薄膜的工业化大规模生产奠定基础。

连续式的磁控溅射生产线 总体上可以分为三个部分: 前处理， 溅射镀膜， 后处理。

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