等离子刻蚀工艺

等离子体刻蚀分为两个过程：首先，等离子体中产生化学活性组分；其次，这些活性组分与固体材料发生反应，感应耦合等离子体刻蚀机供应商，形成挥发性化合物，从表面扩散排走。例如，CF4离解产生的F，山西感应耦合等离子体刻蚀机，与S反应生成SiF4气体，结果是在含Si材料的表面形成了微观铣削结构。等离子体刻蚀是一个通用术语，包括离子刻蚀、溅射刻蚀以及等离子体灰化等过程。

基底和工艺参数决定了表面改性的类型，基底温度、处理时间和材料扩散特性决定了改性深度。等离子体仅能在表面刻蚀几个微米的深度，感应耦合等离子体刻蚀机厂家，改性后的表面特性发生了改变，但大部分材料的特性仍能得以保持。这项技术还可以用于表面清洗、固话、粗化、改变亲水性及粘结性等，同样也可以使电子显微镜下观察的样品变薄以及应用于半导体集成电路的制造过程中。在化学溅射中会发生反应并产生挥发性产物。常用的气体包括Ar、He、O2、H2、H2O、CO2、Cl2、F2和有机蒸气等。与存在化学反应的等离子体溅射相比，惰性离子溅射更像是一个物理过程。

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感应耦合等离子体刻蚀机的结构一

预真空室预真空室的作用是确保刻蚀腔内维持在设定的真空度，不受外界环境（如：粉尘、水汽）的影响，将***性气体与洁净厂房隔离开来。它由盖板、机械手、传动机构、隔离门等组成。

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供气系统供气系统是向刻蚀腔体输送各种刻蚀气体，通过压力控制器（PC）和质量流量控制器（MFC）精准的控制气体的流速和流量。气体供应系统由气源瓶、气体输送管道、控制系统、混合单元等组成。

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