离子属刻蚀机的注意事项

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#.在设备工作时，禁止扶、靠设备，离子束刻蚀机原理，禁止触摸高频电缆和线圈，以免发生意外

#.高频电源实际使用功率不能超过较大限制#.检查设备时，必须关机后切断电源

#. 工作场地必须保持清洁、干燥，设备上及设备周围不得放置无关物品，离子束刻蚀机哪家好，特别是易1燃、易1爆物品

#.长期停放时注意防潮，拆除电源进线，每隔3-5天开一次机，保证反应室真空以免被污 染

#.设备停机、过夜也要保持反应室真空，如停机较长时间后再进行刻蚀工艺，需***行一次空载刻蚀，再刻蚀硅片

刻蚀工艺过程

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等离子体刻蚀工艺包括以下六个步骤。 分离： 气体由等离子体分离为可化学反应的元素； 扩散： 这些元素扩散并吸附到硅片表面； 表面扩散：到达表面后， 四处移动； 反应： 与硅片表面的膜发生反应； 解吸： 反应的生成物解吸，离子束刻蚀机， 离开硅片表面； 排放： 排放出反应腔。

离子束刻蚀速率

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刻蚀速率是指单位时间内离子从材料表面刻蚀去除的材料厚度，单位通常为A/minnm/min.刻蚀速率与诸多因素有关，包括离子能量、束流密度、离子入射方向、材料温度及成分、气体与材料化学反应状态及速率、刻蚀生成物、物理与化学功能强度配比、材料种类、电子中和程度等。

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