感应耦合等离子体刻蚀机的结构三

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供气系统供气系统是向刻蚀腔体输送各种刻蚀气体，通过压力控制器（PC）和质量流量控制器（MFC）精准的控制气体的流速和流量。气体供应系统由气源瓶、气体输送管道、控制系统、混合单元等组成。

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等离子刻蚀工艺

高密度等离子体源在刻蚀工艺上具有许多优势，例如，可以更准确地控制工作尺寸，刻蚀速率更高，更好的材料选择性。高密度等离子体源可以在低压下工作，从而减弱鞘层振荡现象。使用高密度等离子体源刻蚀晶片时，为了使能量和离子通量彼此***，需要采用***射频源对晶圆施加偏压。因为典型的离子能量在几个电子伏特量级，在离子进入负鞘层后，其能量经加速将达到上百电子伏特，并具有高度指向性，从而赋予离子刻蚀的各向异性。

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感应耦合等离子体刻蚀机的原理

感应耦合等离子体刻蚀法（Inductively Coupled Pla***a Etch，简称ICPE）是化学过程和物理过程共同作用的结果。它的基本原理是在真空低气压下，ICP 射频电源产生的射频输出到环形耦合线圈，以一定比例的混合刻蚀气体经耦合辉光放电，产生高密度的等离子体，在下电极的RF 射频作用下，这些等离子体对基片表面进行轰击，基片图形区域的半导体材料的化学键被打断，与刻蚀气体生成挥发性物质，以气体形式脱离基片，从真空管路被抽走。

如果需要进行刻蚀，和蚀刻后，除污，海南感应耦合等离子体刻蚀机，清除浮渣，表面处理，等离子体聚合，等离子体灰化，或任何其他的蚀刻应用，感应耦合等离子体刻蚀机原理，我们能够制造客户完全信任的等离子处理系统，以满足客户的需要。我们既有常规的等离子体蚀刻系统，也有反应性离子蚀刻系统，感应耦合等离子体刻蚀机品牌，我们可以制造系列的产品，也可以为客户定制特殊的系统。我们可以提供快速/高品质的蚀刻，减轻等离子伤害，感应耦合等离子体刻蚀机供应商，并提供的均匀性。

等离子体处理可应用于所有的基材，甚至复杂的几何构形都可以进行等离子体活化、等离子体清洗，等离子体镀膜也毫无问题。等离子体处理时的热负荷及机械负荷都很低，因此，低压等离子体也能处理敏***材料。

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