磁控溅射中靶zhong毒是怎么回事,一般的影响因素是什么？

靶面金属化合物的形成。

由金属靶面通过反应溅射工艺形成化合物的过程中，化合物是在哪里形成的呢？由于活性反应气体粒子与靶面原子相碰撞产生化学反应生成化合物原子，通常是放热反应，反应生成热必须有传导出去的途径，否则，该化学反应无法继续进行。在真空条件下气体之间不可能进行热传导，所以，化学反应必须在一个固体表面进行。反应溅射生成物在靶表面、基片表面、和其他结构表面进行。在基片表面生成化合物是我们的目的，在其他结构表面生成化合物是资源的浪费，在靶表面生成化合物一开始是提供化合物原子的源泉，到后来成为不断提供更多化合物原子的障碍。磁控溅射就是以磁场束缚和延长电子的运动路径，改变电子的运动方向，提高工作气体的电离率和有效利用电子的能量。

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磁控溅射镀膜机的优势

1.实用性：设备集成度高，结构紧凑，占地面积小，可以满足客户实验室空间不足的苛刻条件；通过更换设备上下法兰可以实现磁控与蒸发功能的转换，实现一机多用；

2.方便性：设备需要拆卸的部分均采用即插即用的方式，接线及安装调试简单，既保证了设备使用方便又保证了设备的整洁；

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直流溅射法

直流溅射法要求靶材能够将从离子轰击过程中得到的正电荷传递给与其紧密接触的阴极，从而该方法只能溅射导体材料，不适于绝缘材料。因为轰击绝缘靶材时，表面的离子电荷无法中和，这将导致靶面电位升高，外加电压几乎都加在靶上，两极间的离子加速与电离的机会将变小，甚至不能电离，导致不能连续放电甚至放电停止，溅射停止。故对于绝缘靶材或导电性很差的非金属靶材，须用射频溅射法（RF）。对于静态直冷矩形平面靶，即靶材与磁体之间无相对运动且靶材直接与冷却水接触的靶，?靶材利用率数据多在20%~30%左右(间冷靶相对要高一些，但其被刻蚀过程与直冷靶相同，不作专门讨论)，且多为估计值。