刻蚀技术

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刻蚀技术（etching technique），是在半导体工艺，按照掩模图形或设计要求对半导体衬底表面或表面覆盖薄膜进行选择性腐蚀或剥离的技术。刻蚀技术不仅是半导体器件和集成电路的基本制造工艺，而且还应用于薄膜电路、印刷电路和其他微细图形的加工。刻蚀还可分为湿法刻蚀和干法刻蚀。

离子束刻蚀常见的效应

刻蚀的理想结果是将掩模(mask)的图形准确地转移到基片_上，尺寸没有变化。由于物理溅射的存在，掩模本身的不陡直和溅射产额随离子束入射角变化等原因，产生了刻面( Faceting)、槽底开沟(Trenching or Ditching) 和再沉积等现象，这些效应的存在降低了图形转移精度。

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离子束刻蚀机

加速1器从离子源获得的离子束的能量一般从几百电子伏到几万电子伏。因为用高引出电压方式获得较高能量的离子束受到击穿的限制，所以必须使离子在电场和磁场中加速,这类装置叫做加1速器(见粒子加1速器)使用各种加1速器可以使离子获得很高的能量（如几百吉电子伏），也可以使离子减速，以获得能量较低的（如几十电子伏）但流强很高的离子束。

离子束分析具有一定能量的离子与物质相互作用会使其发射电子、光子、X射线等，还可能发生弹性散射、非弹性散射以及核反应，产生反弹离子、反冲核、γ射线、氢核、氚核、粒子等核反应产物，可以提供有关该物质的组分、结构和状态等信息。利用这些信息来分析样品统称离子束分析。在离子束分析方法中，比较成熟的有背散射分析X射线荧光分析、核反应分析和沟道效应（见沟道效应和阻塞效应）与其他分析相结合的分析方法等。此外，利用低能离子束还可作表面成分分析,如离子散射谱(ZSS)、次级离子质谱(SZMS)等。超灵敏质谱（质谱）、带电粒子活化分析、离子激发光谱、离子激发俄歇电子谱等正在发展中。用于离子束分析的MV级已有专门的商业化设备。