感应耦合等离子体刻蚀的原理

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感应耦合等离子体刻蚀法（Inductively Coupled Pla***a Etch，感应耦合等离子体刻蚀机供应商，简称ICPE）是化学过程和物理过程共同作用的结果。它的基本原理是在真空低气压下，ICP 射频电源产生的射频输出到环形耦合线圈，以一定比例的混合刻蚀气体经耦合辉光放电，产生高密度的等离子体，在下电极的RF 射频作用下，这些等离子体对基片表面进行轰击，辽宁感应耦合等离子体刻蚀机，基片图形区域的半导体材料的化学键被打断，与刻蚀气体生成挥发性物质，以气体形式脱离基片，从真空管路被抽走。

感应耦合等离子体刻蚀机的结构三

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供气系统供气系统是向刻蚀腔体输送各种刻蚀气体，通过压力控制器（PC）和质量流量控制器（MFC）精准的控制气体的流速和流量。气体供应系统由气源瓶、气体输送管道、控制系统、混合单元等组成。

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等离子刻蚀工艺

高密度等离子体源在刻蚀工艺上具有许多优势，例如，可以更准确地控制工作尺寸，刻蚀速率更高，更好的材料选择性。高密度等离子体源可以在低压下工作，从而减弱鞘层振荡现象。使用高密度等离子体源刻蚀晶片时，为了使能量和离子通量彼此***，需要采用***射频源对晶圆施加偏压。因为典型的离子能量在几个电子伏特量级，感应耦合等离子体刻蚀机安装，在离子进入负鞘层后，其能量经加速将达到上百电子伏特，并具有高度指向性，从而赋予离子刻蚀的各向异性。

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