刻蚀工艺过程

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等离子体刻蚀工艺包括以下六个步骤。 分离： 气体由等离子体分离为可化学反应的元素； 扩散： 这些元素扩散并吸附到硅片表面； 表面扩散：到达表面后， 四处移动； 反应： 与硅片表面的膜发生反应； 解吸： 反应的生成物解吸，离子束刻蚀机， 离开硅片表面； 排放： 排放出反应腔。

离子束刻蚀机

离子束技术的应用涉及物理、化学、生物、材料和信息等许多学科的交叉领域。离子束加工在许多精密、关键、高附加值的加工模具

等机械零件的生产中得到了广泛应用。一些***用于军事装备的建设上，离子束刻蚀机原理，如改善蜗轮机主轴承、精密轴承、齿轮、冷冻机阀门和活塞的性能。离子注入半导体掺杂已成为超大规模集成电路微细加工的关键工艺，离子束刻蚀机供应商，导致出现了80年代集成电路产业的腾飞。

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离子束刻蚀机

具有一定能量的离子束轰击样品表面，把离子束动能传给样品原子，使样品表面的原子挣脱原子间的束缚力而溅射出来，从而实现刻蚀目的。这是纯粹的物理溅射过程。

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