刻蚀机

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刻蚀机是基于真空中的高频激励而产生的辉光放电将四氟化碳中的氟离子电离出来从而获得化学活性微粒与被刻蚀材料起化学反应产生辉发性物质进行刻蚀的。同时为了保证氟离子的浓度和刻蚀速度必须加入一定比例的氧气生成二氧化碳。 　　

刻蚀机主要对太阳能电池片周边的P—N结进行刻蚀，使太阳能电池片周边呈开路状态。也可用于半导体工艺中多晶硅，氮化硅的刻蚀和去胶。

反应离子刻蚀的工作原理

通常情况下，反应离子刻蚀机的整个真空壁接地， 作为阳极， 阴极是功率电极， 阴极侧面的接地屏蔽罩可防止功率电极受到溅射。要腐蚀的基片放在功率电极上。腐蚀气体按照一定的工作压力和搭配比例充满整个反应室。对反应腔中的腐蚀气体， 加上大于气体击穿临界值的高频电场， 在强电场作用下， 被高频电场加速的杂散电子与气体分子或原子进行随机碰撞， 当电子能量大到一定程度时， 随机碰撞变为非弹性碰撞， 产生二次电子发射， 它们又进一步与气体分子碰撞， 不断激发或电离气体分子。这种激烈碰撞引起电离和复合。当电子的产生和消失过程达到平衡时， 放电能继续不断地维持下去。由非弹性碰撞产生的离子、电子及及游离基(游离态的原子、分子或原子团) 也称为等离子体， 具有很强的化学活性， 可与被刻蚀样品表面的原子起化学反应， 形成挥发性物质， 达到腐蚀样品表层的目的。同时， 由于阴极附近的电场方向垂直于阴极表面， 高能离子在一定的工作压力下， 垂直地射向样品表面， 进行物理轰击，大样片离子束刻蚀机工作原理， 使得反应离子刻蚀具有很好的各向异性 。

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离子束刻蚀机

离子源的主要参数有：①离子束流强。即能够获得的有用离子束的等效电流强度，大样片离子束刻蚀机，用电流单位A或mA表示。②有用离子百分比。即有用离子束占总离子束的百分比。一般来说，离子源给出的总离子束包括单电荷离子、多电荷离子、各种分子离子和杂质元素离子等的离子束。③能散度。由于离子的热运动和引出地点的不同，使得离子源给出的离子束的能量对要求的单一能量有一定离散，一般希望能散度尽量小，在高精度的离子束应用中尤其是这样。④束的聚焦性能。以离子束的截面和张角表示。聚焦不好的离子束在传输过程中会使离子大量丢失。获得良好聚焦特性的离子束的终障碍是束中离子之间的静电排斥力，为了克服这一障碍，应尽早使离子获得较高能量。⑤离子源的效率。以离子束形式引出的工作物质占总消耗的工作物质的比例。⑥工作寿命。离子源一次安装以后使用的时间。

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