磁控溅射法的优势

目前常用的制备CoPt 磁性薄膜的方法是磁控溅射法。磁控溅射法是在高真空充入适量的ya气，在阴极(柱状靶或平面靶)和阳极(镀膜室壁) 之间施加几百K 直流电压，在镀膜室内产生磁控型异常辉光放电，使ya气发生电离。ya离子被阴极加速并轰击阴极靶表面，将靶材表面原子溅射出来沉积在基底表面上形成薄膜。通过更换不同材质的靶和控制不同的溅射时间，便可以获得不同材质和不同厚度的薄膜。磁控溅射法具有镀膜层与基材的结合力强、镀膜层致密、均匀等优点。

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磁控溅射镀膜机工艺

（1）技术方案 磁控溅射镀光学膜，有以下三种技术路线： （a）陶瓷靶溅射：靶材采用金属化合物靶材，磁控溅射镀膜机，可以直接沉积各种氧化物或者氮化物，有时候为了得到更高的膜层纯度，也需要通入一定量反应气体）； （b）反应溅射：靶材采用金属或非金属靶，通入稀有和反应气体的混合气体，进行溅射沉积各种化合物膜层。 （c）离子辅助沉积：先沉积一层很薄的金属或非金属层，然后再引入反应气体离子源，将膜层进行氧化或者氮化等。 采用以上三种技术方案，在溅射沉积光学膜时，磁控溅射镀膜机报价，都会存在靶zhong毒现象，从而导致膜层沉积速度非常慢，对于上节介绍各种光学膜来说，膜层厚度较厚，膜层总厚度可达数百纳米。这种沉积速度显然增加了镀膜成本，从而限制了磁控溅射镀膜在光学上的应用。

（2）新型反应溅射技术 笔者对现有反应溅射技术方案进行了改进，开发出新的反应溅射技术，解决了镀膜沉积速度问题，同时膜层的纯度达到光学级别要求。表2.1是采用新型反应溅射沉积技术，膜层沉积速度对比情况。

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磁控溅射镀膜机

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ITO 薄膜的磁控溅射靶主要分为InSn 合金靶、In2O3-SnO2 陶瓷靶两类。在用合金靶制备ITO 薄膜时，由于溅射过程中作为反应气体的氧会和靶发生很强的电化学反应，靶面覆盖一层化合物，使溅射蚀损区域缩得很小(俗称“靶zhong毒”) ，以至很难用直流溅射的方法稳定地制备出优质的ITO 膜。也就是说，采用合金靶磁控溅射时，磁控溅射镀膜机品牌，工艺参数的窗口很窄且极不稳定。陶瓷靶因能***溅射过程中氧的选择性溅射，能稳定地将金属铟和锡与氧的反应物按所需的化学配比稳定地成膜，故无zhong毒现象，工艺窗口宽，磁控溅射镀膜机安装，稳定性好。但这不等于说陶瓷靶解决了所有的问题，其薄膜光电性能仍然受制于基底温度、溅射电压、氧含量等主要工艺参数的影响，不同工艺制备出的ITO 薄膜的光电性能相差甚远。因此，开展ITO陶瓷靶磁控溅射工艺参数的优化研究很有意义。

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